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  • 1 # 使用者2793425991237

    a、種植地選取:選擇海拔300~1500m、地勢平坦的黃壤土、沙壤土或石灰土作種植地;晴天上午將地表深翻35~45cm,細碎平整,除去地面上雜草、樹根及地埂上雜草、灌木叢,每畝施撒生石灰250~300kg,覆蓋地膜,暴曬3~5d;

    b、苗床製備:種植地暴曬結束後,撤除地膜,再次細碎平整土地,控制細土粒度≤5mm;晴天上午選用50%的多菌靈的500倍稀釋液噴溼地表,繼續暴曬2~3d;暴曬結束後,朝通風向陽方向,於陰雨天上午開設育苗床,育苗穿寬1.2~1.5m、高10~12cm、長視地表長度而宜,苗床上再平鋪有機肥3~5cm,再覆蓋粒度≤2mm的腐殖土,控制苗床總高為20~22cm;

    c、繁殖體處理:選取2年生的野地瓜匍匐藤條作分株母本,春季或深秋將2年生匍匐藤條剪成15~20cm的繁殖體,每個繁殖體的莖節包含3~8根鬚根;控制剪下口光滑平整,並選用混合油漆塗抹剪下口;

    d、繁殖體移栽:移栽前澆水至苗床土壤溼度為40~45%,2~3h後在苗床上採挖寬30cm、深15cm的種植溝,相鄰種植溝間相距50cm;繁殖體處理當日將其移栽至種植溝中,相鄰繁殖體間相距15~20cm,移栽時將帶鬚根一端斜插在種植溝中,傾斜角為30~40°,覆土壓實,輕提,澆足定根水,控制繁殖體的另一端露出土表4~6cm;

    其中,若選則在春季移栽繁殖體,移栽結束後於苗床上方搭設遮陽網,控制遮陽網的透光率為40~60%;遮陽網距離苗床60~65cm,控制苗床土壤溼度為35~40%;

    若選擇在深秋移栽繁殖體,移栽結束後,覆蓋地膜或稻草,控制每條種植溝上留有3~10個孔徑10~12cm的透風口,並將繁殖體露出土表的一端露在地膜或稻草之上,控制苗床土壤溼度為30~35%;

    e、移栽管理:移栽第7d後,檢查繁殖體存活情況,遇死亡植株時及時清理、補栽;移栽15d後,降低苗床土壤溼度為25~30%;待床面藤條長出新葉芽時,噴施濃度為200~300ppm的氮肥的水溶液,第二日噴施濃度為100~150ppm的磷肥的水溶液,噴施至藤條溼潤但不滴水;

    f、種植園管理:待床面藤條長出第一片真葉時,撤除遮陽網或地膜或稻草,撤除當日澆一次透根水;以後控制苗床土壤溼度為25~30%,每15d選用腐熟的人畜糞水的500倍稀釋液澆透床面土壤一次;待床面藤條長出3~5片真葉時,即可移栽。

    優選的,所述有機肥包括以下重量份原料:

    腐熟廄肥85~90份、腐熟牛糞30~35份、腐熟豬糞25~30份、腐殖質15~20份、玉米秸稈5~10份、草木灰15~20份、菜籽餅粉末8~13份、50%的多菌靈可溼性粉劑1~2份、河沙4~10份、固氮菌1~3份、枯草芽孢桿菌0~3份、蚯蚓粉4~8份、硼砂0.1~5份、過磷酸鈣3~5份、檸檬酸鉀2~4份、磷酸二氫鉀1~3份。

    優選的,所述有機肥包括以下重量份原料:

    腐熟廄肥85份、腐熟牛糞35份、腐熟豬糞25份、腐殖質20份、玉米秸稈5份、草木灰20份、菜籽餅粉末8份、50%的多菌靈可溼性粉劑1份、河沙10份、固氮菌1份、枯草芽孢桿菌3份、蚯蚓粉8份、硼砂0.1份、過磷酸鈣3份、檸檬酸鉀2份、磷酸二氫鉀1份。

    優選的,所述混合油漆為清油與茶多酚、1-MCP按100:2:1的重量比混合加工製成。

    進一步地、根據權利要求3所述的一種野地瓜的分株繁殖方法,其特徵在於,所述1-MCP取至物質量濃度為0.5~0.7mol/L的1-MCP溶液。

    本發明的有益效果是:

    與現有技術相比,本發明提供了一種野地瓜的分株繁殖方法,透過選取兩年生的野地瓜藤蔓作分株繁殖物件,剪下成15~20cm長的帶有3~8條鬚根的繁殖體,切口塗抹混合油漆,防止水分流失,並在繁殖體剪切當日移栽至具有保溫保水作用的育苗床,根據春季和深秋兩個不同的移栽季節,對移栽後的繁殖體進行不同的移栽後處理,有效提高繁殖體的移栽存活率至93%以上,對野地瓜的擴繁和提高產量有較大巨大指導意義。

    具體實施方式

    下面結合具體實施方式對本發明進一步作詳細的說明,但本發明提供的技術方案不僅包括實施例中展現的內容。

    實施例1

    本實施例提供了一種野地瓜的分株繁殖方法,並選擇在春季對野地瓜進行分株繁殖,具體過程如下:

    a、種植地選取:選擇海拔1000m、地勢平坦的黃壤土、沙壤土或石灰土作種植地;晴天上午將地表深翻45cm,細碎平整,除去地面上雜草、樹根及地埂上雜草、灌木叢,每畝施撒生石灰300kg,覆蓋地膜,暴曬3d;

    b、苗床製備:種植地暴曬結束後,撤除地膜,再次細碎平整土地,控制細土粒度不超過5mm;晴天上午選用50%的多菌靈的500倍稀釋液噴溼地表,繼續暴曬3d;暴曬結束後,朝通風向陽方向,於陰雨天上午開設育苗床,育苗穿寬1.2m、高12cm、長10.6m,苗床上再平鋪有機肥3cm,再覆蓋粒度2mm的腐殖土5cm,控制苗床總高為20cm;

    c、繁殖體處理:選取2年生的野地瓜匍匐藤條作分株母本,春季將2年生匍匐藤條剪成15cm的繁殖體,每個繁殖體的莖節包含3至8根不等的鬚根,平均為5根;控制剪下口光滑平整,並選用由清油與茶多酚、0.5mol/L的1-MCP按100:2:1的重量比混合製成的混合油漆塗抹剪下口,防止繁殖體重的水分和營養成分從剪下口流散;

    d、繁殖體移栽:移栽前澆水至苗床土壤溼度為45%,3h後在苗床上採挖寬30cm、深15cm的種植溝,相鄰種植溝間相距50cm;繁殖體處理當日將其移栽至種植溝中,相鄰繁殖體間相距20cm,移栽時將帶鬚根一端斜插在種植溝中,傾斜角為30°,覆土壓實,輕提,澆足定根水,控制繁殖體的另一端露出土表5cm;

    移栽結束後於苗床上方搭設遮陽網,控制遮陽網的透光率為50%;遮陽網距離苗床60cm,控制苗床土壤溼度為35%;

    e、移栽管理:移栽第7d後,檢查繁殖體存活情況,遇死亡植株時及時清理、補栽;移栽15d後,降低苗床土壤溼度為30%;待床面藤條長出新葉芽時,噴施濃度為200ppm的氮肥的水溶液,第二日噴施濃度為100ppm的磷肥的水溶液,噴施至藤條溼潤但不滴水;

    f、種植園管理:待床面藤條長出第一片真葉時,撤除遮陽網撤除當日澆一次透根水;以後控制苗床土壤溼度為25%,每15d選用腐熟的人畜糞水的500倍稀釋液澆透床面土壤一次;待床面藤條長出3片真葉時,即可移栽。

    在本實施例中,所述有機肥包括以下重量份原料:

    腐熟廄肥85份、腐熟牛糞35份、腐熟豬糞25份、腐殖質20份、玉米秸稈5份、草木灰20份、菜籽餅粉末8份、50%的多菌靈可溼性粉劑1份、河沙10份、固氮菌1份、枯草芽孢桿菌3份、蚯蚓粉8份、硼砂0.1份、過磷酸鈣3份、檸檬酸鉀2份、磷酸二氫鉀1份。

    實施例2

    本實施例提供了一種野地瓜的分株繁殖方法,並選擇在深秋對野地瓜進行分株繁殖,具體過程如下:

    a、種植地選取:選擇海拔1500m、地勢平坦的黃壤土、沙壤土或石灰土作種植地;晴天上午將地表深翻35cm,細碎平整,除去地面上雜草、樹根及地埂上雜草、灌木叢,每畝施撒生石灰250kg,覆蓋地膜,暴曬5d;

    b、苗床製備:種植地暴曬結束後,撤除地膜,再次細碎平整土地,控制細土粒度不超過3mm;晴天上午選用50%的多菌靈的500倍稀釋液噴溼地表,繼續暴曬2d;暴曬結束後,朝通風向陽方向,於陰雨天上午開設育苗床,育苗穿寬1.5m、高10cm、長平均為8.5m,苗床上再平鋪有機肥5cm,再覆蓋粒度1mm的腐殖土7cm,控制苗床總高為22cm;

    c、繁殖體處理:選取2年生的野地瓜匍匐藤條作分株母本,深秋將2年生匍匐藤條剪成20cm的繁殖體,每個繁殖體的莖節包含3至8根鬚根,平均為6根;控制剪下口光滑平整,並選用由清油與茶多酚、0.7mol/L的1-MCP按100:2:1的重量比混合加工製成的混合油漆塗抹剪下口;

    d、繁殖體移栽:移栽前澆水至苗床土壤溼度為40%,2h後在苗床上採挖寬30cm、深15cm的種植溝,相鄰種植溝間相距50cm;繁殖體處理當日將其移栽至種植溝中,相鄰繁殖體間相距15cm,移栽時將帶鬚根一端斜插在種植溝中,傾斜角為40°,覆土壓實,輕提,澆足定根水,控制繁殖體的另一端露出土表6cm;

    移栽結束後,覆蓋稻草,稻草厚度1cm控制每條種植溝上留有6個孔徑10cm的透風口,並將繁殖體露出土表的一端露在稻草之上,控制苗床土壤溼度為30%;

    e、移栽管理:移栽第7d後,檢查繁殖體存活情況,遇死亡植株時及時清理、補栽;移栽15d後,降低苗床土壤溼度為25%;待床面藤條長出新葉芽時,噴施濃度為300ppm的氮肥的水溶液,第二日噴施濃度為150ppm的磷肥的水溶液,噴施至藤條溼潤但不滴水;

    f、種植園管理:待床面藤條長出第一片真葉時,撤除稻草,撤除當日澆一次透根水;以後控制苗床土壤溼度為30%,每15d選用腐熟的人畜糞水的500倍稀釋液澆透床面土壤一次;待床面藤條長出5片真葉時,即可移栽。

    在本實施例中,所述有機肥包括以下重量份原料:

    腐熟廄肥90份、腐熟牛糞30份、腐熟豬糞30份、腐殖質15份、玉米秸稈10份、草木灰15份、菜籽餅粉末13份、50%的多菌靈可溼性粉劑1份、河沙4份、固氮菌3份、枯草芽孢桿菌1份、蚯蚓粉8份、硼砂0.1份、過磷酸鈣5份、檸檬酸鉀2份、磷酸二氫鉀1份。

    以上所述,僅是本發明的較佳實施例而已,並非對本發明作任何形式上的限制,任何未脫離本發明技術方案內容,依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何修改、等同變化與修飾,均仍屬於本發明技術方案的範圍內。

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