人是具有依賴性的生物，以前中國依靠進口晶片完成自己的產品製作，時間長了就到了舒適區，就直接用別人的，而自己不去研發。所以此次中興事件也讓中國覺醒，只有技術才是核心競爭力，相信10年後，中國一定會給世界交出滿意的答卷。

以歷史為鑑，中國只要立誓崛起就猶如巨龍騰空，以迅雷不及掩耳之勢快速追趕。而從技術角度來看，實際上，中國的“北斗”技術目前已經獲得較大的成功，而就技術難度來說，其實晶片的技術難度要低於“北斗”的技術難度。

再看中國寶島臺灣，擁有世界晶片的領先級水平。他們也是一步步的發展，從政府引導海外學習到人才引進一步步領先全球晶片行業的。所以，相信10年後的大陸將和寶島臺灣一起屹立於晶片行業的巔峰。

厲害了我的國，中國加油！

除了英特爾有些難產之外，臺積電、三星早就量產了10nm工藝，目前正在爭奪7nm工藝制高點，再加上Globalfoundries，這四強代表了半導體制造工藝的巔峰。最近幾天臺積電在南京建設的晶圓廠已經開始出貨，使用的是16nm工藝，這是國內技術水平最高的工藝，不過能代表大陸自主技術水平的還是中芯國際、華虹半導體的28nm工藝。來自中芯國際的訊息稱，中國產14nm工藝預計在2019年上半年量產，同時中芯國際力爭用10年時間進入第一梯隊。

除了大家經常聽到的光刻機之外，還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火裝置等等，在這方面中芯國際也積極支援中國產裝備，過去七年中中國產半導體裝備的佔有率從1%提高到了15%。

與此同時，中芯國際還在不斷縮小與國外先進工藝的差距，按照原文的說法，中國積體電路先進製造工藝已經從之前落後國際4到5代縮小到了1-2代的差距，中芯國際的14nm工藝預計會在2019年上半年量產。

對於中國產14nm工藝，這是2015年比利時國王訪華時中比雙方簽訂的一系列合作之一，比利時有全球著名的IMEC比利時微電子中心，在先進半導體工藝上具備豐富的經驗，當時中芯國際、華為以及高通聯合IMCE簽署了合作協議，研發14nm FinFET製造工藝，預定目標是2020年之前量產，現在來看進度還是OK的。

不過協議簽署時國內還沒有28nm以下的先進工藝，此後臺積電宣佈在南京建設16nm工藝晶圓廠，2016年正式動工，原本預計今年下半年量產，不過工程進展很快，上半年就已經正式量產了，所以中芯國際的14nm在國內市場也會遭遇臺積電的強力競爭，而且後者在量產時間、工藝成熟度上顯然更有優勢。

儘管如此，在14nm量產之後，中國半導體工藝與世界先進水平的差距確實大大縮小了，28nm、14nm以及未來的7nm都是高效能節點，會長期存在，所以只要能量產出來，對發展中國產高效能晶片都是有益的。

中芯國際CEO周子學此前在一次內部會議上表示中芯國際將用10年時間爭取進入世界第一梯隊。

中芯國際作為中國晶片代工龍頭科技公司。 完全相信中國中芯國際有能力做到！不僅可以達到國際平等技術，而且有可能超越。

第一個。中國是全球最大的晶片消耗市場，光一年晶片消費金額達到2600多億美金，而且逐年都在增加。市場巨大，國外尖端技術封鎖，逼迫強力拉動中國晶片產業鏈發展，作為國內最先進的晶片代工企業，各方位佔得先機。

第二個，晶片產業，光刻裝置，為了不被國外技術卡脖子，近年國家扶值力度空前巨大，國外技術封鎖，原子彈，氫彈，高鐵技術都能做到世界一，國家有計劃，這並不是難事。

第三個，高等院校聯合科技公司，進行了全面技術攻關，像清華大學，聯合上海微電子已經攻關了65奈米光刻雙工件臺。對65奈米的進行升級可以做到45奈米。45奈米又是一個技術臺階。步步攻克。一百天一奈米，十年磨一劍。

不管他怎麼說，我們先看一下目前的狀態。

今年的主流工藝毫無疑問是7nm，臺積電和三星的7nm相當於英特爾這邊的10nm。這三家依然是最先進的企業。

與此同時，我們的中芯國際最先進的工藝是什麼呢？是28nm。同最先進的7nm工藝差了四代。按照計劃，2019年中芯國際能量產14/16nm3D工藝。與此同時，三星和臺積電的5nm工藝將在2019年試產，這意味著明年中芯國際和臺積電只有兩代半的差距。

很多人都認為科技行業很好追趕，因為當年的原子彈我們都能搞出來。實際不然，即便是三星這樣要什麼有什麼的企業在製造工藝上也追不上臺積電。至於原子彈，美華人的第一顆原子彈爆炸時技術條件不比我們好多少，他們當時也沒有計算機，也是隻有理論概念。

相比較之下，中芯國際的可利用資源並沒有三星那麼豐富，我們的14nm工藝很大程度上是得到了比利時的幫助才得以實現的。而且晶圓廠裝置除了光刻機之外，還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火裝置等等。雖然說目前中芯國際的裝置中國產率達到了15％，但真正核心的產品都在外華人手中。

與此同時，你不可能讓臺積電等著你。臺積電，三星，英特爾已經成為三足鼎立之勢，他們的競爭非常大。每年的投入都是巨大的，在加上他們目前領先中芯國際三代左右，所以我認為10年內想追上三家巨無霸是不怎麼可能的。

前一段時間美國禁售中興晶片等配件鬧得沸沸揚揚，同時為中國科技企業敲響了警鐘：我們不能在各種技術上被別人卡脖子，如果這樣不管你其他方面做的再好，仍然是板上魚肉任人宰割！核心技術必須掌握在我們自己的手裡。

中芯國際宣佈要力爭十年進入世界第一梯隊，這種勇氣和進取值得我們稱讚。但是個人真心希望，中芯這次不是口號，而是實打實的意識到了危機，沉下心去做研究，用自己的努力，十年聚生打造出屬於中國的世界一流的晶片！

但是我們知道打造效能一流的積體電路晶片並不是一件容易的事情，作為科技產品中最有價值的元件，也以為這最高的科技含量，最難的加工工藝。同時需要大量的技術積累，透過不斷的技術迭代研發，最終實現突破。十年時間說來很長，但是想實現突破任務依舊很重，真心希望中芯國際乃至中國其他高科技公司，奮力突圍，打造真正屬於中國的核心技術！！

中芯國際力爭10年內進入全球第一梯隊，是該公司CEO周子學在一次內部會議上的表態。可以看成是一個企業的願景和目標。想要實現這個目標，並不是一件容易的事情。但是，目標和理想還是要有的。

總的來說，中芯國際是機遇和挑戰並存的一個情況。想要縮小跟世界先進水平的差距，中興被禁事件對於中芯國際反倒是一個大大的利好。因為，社會和政府層面都會對晶片技術更加重視。中芯國際更容易得到資源扶持，有了好的政策和足夠的資源才更有底氣做突破性的工作。與此同時，中興被禁不得已要尋找替代方案，中芯國際的晶片雖然比不上高通的先進，但是，對於無芯可用的中興而言，也算是個不錯的選擇了。因此，市場需求有一定的保障。

但是，與此同時，中美關係緊張，很容易導致技術引進更加困難。而且，中興是不是有能力從當下的危機中走出來也不好說。就算中興能緩過氣來，來了訂單，中芯國際提供晶片給中興會不會招致美方報復也不好說。但是，一個企業想要立足於市場，立足於世界，在高科技領域實現突破，面臨困難和挑戰是再正常不過的事情。

應該說，中興事件，對於中芯國際總體而言是利好的訊息。接下來就看中芯國際的實力和努力了。目前中芯國際的技術水平是可以量產28nm工藝，是國內的頂尖水平。但是跟國際先進水平還是有著非常明顯的差距。目前代表世界先進水平的臺積電、三星正在爭奪7nm工藝制高點，早就量產了10nm工藝。而中芯國際的訊息稱努力在2019年上半年量產14nm工藝。和臺積電還有三星有三到四代的差距。雖然中芯國際奮發圖強，不斷追趕。但是，臺積電和三星等公司也會大力投入資源儘可能保持自己的優勢的。中芯國際能否克服困難，迎頭趕上，還需要時間給出答案！

中芯國際提出十年追趕計劃，這種雄心壯志是值得鼓勵的。但是，用行動把豪言壯語變成現實，才是我們最希望看到的！希望中芯國際好好加油。

我們來看看國際上第一梯隊的是什麼水平：除了英特爾10nm有難產的跡象，臺積電、三星早就量產了10nm工藝，這兩家都在攻克7nm。

AMD在2016年9月宣佈，將聯合Global Foundries開發7nm工藝製程。那就是說AMD在7nm的工藝上正在出發！這就意味著，在桌面級的CPU和顯示卡端，我們會在未來幾年的時間內進入到7nm工藝時代。

那麼英特爾這麼差嗎？不是的，英特爾有自己的一套邏輯，英特爾表示自己的14nm工藝和競爭對手的10nm工藝同樣優秀，領先對手整整三年。英特爾在2014年研發出來的第一代14nm FinFET和三星以及臺積電的10nm工藝看齊。然後英特爾表示它家的10nm工藝的柵極間距是54nm，是同時代10nm最強。無論英特爾是否有誇大，這都表面了英特爾有信心和實力在10nm工藝上準備量產。

那就意味著，目前來說我們認為，在2018年上，主要的製程就是14nm、10nm，展望著7nm工藝。但是這是2018年的情況，毫無疑問的是，我們2028年，工藝會進入到5nm甚至3nm時代。

然後看看，我們目前發展的情況：中芯國際、華虹半導體的28nm工藝。對的，就是28nm工藝，那麼我們目前還有多東西沒有克服：光刻機，還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火裝置。尤其是光刻機，最好就是ASML的，這是荷蘭的，但是禁止向中國進口。目前我們的光刻機的工藝在在攻克承擔著65nm的研製。

這就是中國面臨的情況，有人說，你這麼潑冷水不好啊？不是，我絕對支援中國大力發展半導體行業的，畢竟這關乎於整個國家的發展。但是我們也要認清楚我們的目前的情況。

我們應該鼓勵半導體行業的朋友放心做，適當提高待遇，但是做不出來也不丟人。堅持著做，沒人能夠一步登天的！

人是具有依賴性的生物，以前中國依靠進口晶片完成自己的產品製作，時間長了就到了舒適區，就直接用別人的，而自己不去研發。所以此次中興事件也讓中國覺醒，只有技術才是核心競爭力，相信10年後，中國一定會給世界交出滿意的答卷。

以歷史為鑑，中國只要立誓崛起就猶如巨龍騰空，以迅雷不及掩耳之勢快速追趕。而從技術角度來看，實際上，中國的“北斗”技術目前已經獲得較大的成功，而就技術難度來說，其實晶片的技術難度要低於“北斗”的技術難度。

再看中國寶島臺灣，擁有世界晶片的領先級水平。他們也是一步步的發展，從政府引導海外學習到人才引進一步步領先全球晶片行業的。所以，相信10年後的大陸將和寶島臺灣一起屹立於晶片行業的巔峰。

厲害了我的國，中國加油！

除了英特爾有些難產之外，臺積電、三星早就量產了10nm工藝，目前正在爭奪7nm工藝制高點，再加上Globalfoundries，這四強代表了半導體制造工藝的巔峰。最近幾天臺積電在南京建設的晶圓廠已經開始出貨，使用的是16nm工藝，這是國內技術水平最高的工藝，不過能代表大陸自主技術水平的還是中芯國際、華虹半導體的28nm工藝。來自中芯國際的訊息稱，中國產14nm工藝預計在2019年上半年量產，同時中芯國際力爭用10年時間進入第一梯隊。

除了大家經常聽到的光刻機之外，還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火裝置等等，在這方面中芯國際也積極支援中國產裝備，過去七年中中國產半導體裝備的佔有率從1%提高到了15%。

與此同時，中芯國際還在不斷縮小與國外先進工藝的差距，按照原文的說法，中國積體電路先進製造工藝已經從之前落後國際4到5代縮小到了1-2代的差距，中芯國際的14nm工藝預計會在2019年上半年量產。

對於中國產14nm工藝，這是2015年比利時國王訪華時中比雙方簽訂的一系列合作之一，比利時有全球著名的IMEC比利時微電子中心，在先進半導體工藝上具備豐富的經驗，當時中芯國際、華為以及高通聯合IMCE簽署了合作協議，研發14nm FinFET製造工藝，預定目標是2020年之前量產，現在來看進度還是OK的。

不過協議簽署時國內還沒有28nm以下的先進工藝，此後臺積電宣佈在南京建設16nm工藝晶圓廠，2016年正式動工，原本預計今年下半年量產，不過工程進展很快，上半年就已經正式量產了，所以中芯國際的14nm在國內市場也會遭遇臺積電的強力競爭，而且後者在量產時間、工藝成熟度上顯然更有優勢。

儘管如此，在14nm量產之後，中國半導體工藝與世界先進水平的差距確實大大縮小了，28nm、14nm以及未來的7nm都是高效能節點，會長期存在，所以只要能量產出來，對發展中國產高效能晶片都是有益的。

中芯國際CEO周子學此前在一次內部會議上表示中芯國際將用10年時間爭取進入世界第一梯隊。

中芯國際作為中國晶片代工龍頭科技公司。 完全相信中國中芯國際有能力做到！不僅可以達到國際平等技術，而且有可能超越。

第一個。中國是全球最大的晶片消耗市場，光一年晶片消費金額達到2600多億美金，而且逐年都在增加。市場巨大，國外尖端技術封鎖，逼迫強力拉動中國晶片產業鏈發展，作為國內最先進的晶片代工企業，各方位佔得先機。

第二個，晶片產業，光刻裝置，為了不被國外技術卡脖子，近年國家扶值力度空前巨大，國外技術封鎖，原子彈，氫彈，高鐵技術都能做到世界一，國家有計劃，這並不是難事。

第三個，高等院校聯合科技公司，進行了全面技術攻關，像清華大學，聯合上海微電子已經攻關了65奈米光刻雙工件臺。對65奈米的進行升級可以做到45奈米。45奈米又是一個技術臺階。步步攻克。一百天一奈米，十年磨一劍。

不管他怎麼說，我們先看一下目前的狀態。

今年的主流工藝毫無疑問是7nm，臺積電和三星的7nm相當於英特爾這邊的10nm。這三家依然是最先進的企業。

與此同時，我們的中芯國際最先進的工藝是什麼呢？是28nm。同最先進的7nm工藝差了四代。按照計劃，2019年中芯國際能量產14/16nm3D工藝。與此同時，三星和臺積電的5nm工藝將在2019年試產，這意味著明年中芯國際和臺積電只有兩代半的差距。

很多人都認為科技行業很好追趕，因為當年的原子彈我們都能搞出來。實際不然，即便是三星這樣要什麼有什麼的企業在製造工藝上也追不上臺積電。至於原子彈，美華人的第一顆原子彈爆炸時技術條件不比我們好多少，他們當時也沒有計算機，也是隻有理論概念。

相比較之下，中芯國際的可利用資源並沒有三星那麼豐富，我們的14nm工藝很大程度上是得到了比利時的幫助才得以實現的。而且晶圓廠裝置除了光刻機之外，還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火裝置等等。雖然說目前中芯國際的裝置中國產率達到了15％，但真正核心的產品都在外華人手中。

與此同時，你不可能讓臺積電等著你。臺積電，三星，英特爾已經成為三足鼎立之勢，他們的競爭非常大。每年的投入都是巨大的，在加上他們目前領先中芯國際三代左右，所以我認為10年內想追上三家巨無霸是不怎麼可能的。

前一段時間美國禁售中興晶片等配件鬧得沸沸揚揚，同時為中國科技企業敲響了警鐘：我們不能在各種技術上被別人卡脖子，如果這樣不管你其他方面做的再好，仍然是板上魚肉任人宰割！核心技術必須掌握在我們自己的手裡。

中芯國際宣佈要力爭十年進入世界第一梯隊，這種勇氣和進取值得我們稱讚。但是個人真心希望，中芯這次不是口號，而是實打實的意識到了危機，沉下心去做研究，用自己的努力，十年聚生打造出屬於中國的世界一流的晶片！

但是我們知道打造效能一流的積體電路晶片並不是一件容易的事情，作為科技產品中最有價值的元件，也以為這最高的科技含量，最難的加工工藝。同時需要大量的技術積累，透過不斷的技術迭代研發，最終實現突破。十年時間說來很長，但是想實現突破任務依舊很重，真心希望中芯國際乃至中國其他高科技公司，奮力突圍，打造真正屬於中國的核心技術！！

中芯國際力爭10年內進入全球第一梯隊，是該公司CEO周子學在一次內部會議上的表態。可以看成是一個企業的願景和目標。想要實現這個目標，並不是一件容易的事情。但是，目標和理想還是要有的。

總的來說，中芯國際是機遇和挑戰並存的一個情況。想要縮小跟世界先進水平的差距，中興被禁事件對於中芯國際反倒是一個大大的利好。因為，社會和政府層面都會對晶片技術更加重視。中芯國際更容易得到資源扶持，有了好的政策和足夠的資源才更有底氣做突破性的工作。與此同時，中興被禁不得已要尋找替代方案，中芯國際的晶片雖然比不上高通的先進，但是，對於無芯可用的中興而言，也算是個不錯的選擇了。因此，市場需求有一定的保障。

但是，與此同時，中美關係緊張，很容易導致技術引進更加困難。而且，中興是不是有能力從當下的危機中走出來也不好說。就算中興能緩過氣來，來了訂單，中芯國際提供晶片給中興會不會招致美方報復也不好說。但是，一個企業想要立足於市場，立足於世界，在高科技領域實現突破，面臨困難和挑戰是再正常不過的事情。

應該說，中興事件，對於中芯國際總體而言是利好的訊息。接下來就看中芯國際的實力和努力了。目前中芯國際的技術水平是可以量產28nm工藝，是國內的頂尖水平。但是跟國際先進水平還是有著非常明顯的差距。目前代表世界先進水平的臺積電、三星正在爭奪7nm工藝制高點，早就量產了10nm工藝。而中芯國際的訊息稱努力在2019年上半年量產14nm工藝。和臺積電還有三星有三到四代的差距。雖然中芯國際奮發圖強，不斷追趕。但是，臺積電和三星等公司也會大力投入資源儘可能保持自己的優勢的。中芯國際能否克服困難，迎頭趕上，還需要時間給出答案！

中芯國際提出十年追趕計劃，這種雄心壯志是值得鼓勵的。但是，用行動把豪言壯語變成現實，才是我們最希望看到的！希望中芯國際好好加油。

我們來看看國際上第一梯隊的是什麼水平：除了英特爾10nm有難產的跡象，臺積電、三星早就量產了10nm工藝，這兩家都在攻克7nm。

AMD在2016年9月宣佈，將聯合Global Foundries開發7nm工藝製程。那就是說AMD在7nm的工藝上正在出發！這就意味著，在桌面級的CPU和顯示卡端，我們會在未來幾年的時間內進入到7nm工藝時代。

那麼英特爾這麼差嗎？不是的，英特爾有自己的一套邏輯，英特爾表示自己的14nm工藝和競爭對手的10nm工藝同樣優秀，領先對手整整三年。英特爾在2014年研發出來的第一代14nm FinFET和三星以及臺積電的10nm工藝看齊。然後英特爾表示它家的10nm工藝的柵極間距是54nm，是同時代10nm最強。無論英特爾是否有誇大，這都表面了英特爾有信心和實力在10nm工藝上準備量產。

那就意味著，目前來說我們認為，在2018年上，主要的製程就是14nm、10nm，展望著7nm工藝。但是這是2018年的情況，毫無疑問的是，我們2028年，工藝會進入到5nm甚至3nm時代。

然後看看，我們目前發展的情況：中芯國際、華虹半導體的28nm工藝。對的，就是28nm工藝，那麼我們目前還有多東西沒有克服：光刻機，還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火裝置。尤其是光刻機，最好就是ASML的，這是荷蘭的，但是禁止向中國進口。目前我們的光刻機的工藝在在攻克承擔著65nm的研製。

這就是中國面臨的情況，有人說，你這麼潑冷水不好啊？不是，我絕對支援中國大力發展半導體行業的，畢竟這關乎於整個國家的發展。但是我們也要認清楚我們的目前的情況。

我們應該鼓勵半導體行業的朋友放心做，適當提高待遇，但是做不出來也不丟人。堅持著做，沒人能夠一步登天的！