以N溝道MOS場效電晶體5N60C為例，來詳細介紹一下具體的測量方法。 1.N溝道MOS場效電晶體好壞的測量方法 2.用數字萬用表二極體檔正向測量5N60C的D-S兩極。 測量5N60C好壞時，首先將萬用表量程開關調至二極體檔，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極，若是好的管子，萬用表顯示為“OL”，即溢位（見上圖）。 3.用數字萬用表二極體檔反向測量5N60C的D-S兩極。 然後調換紅黑表筆，再去測量D-S兩極，則萬用表顯示的讀數為一個矽二極體的正向壓降（見上圖）。 若MOS場效電晶體內部D-S兩極之間的寄生二極體擊穿損壞，用二極體檔測量時，萬用表顯示的讀數接近於零。 4.用萬用表的二極體檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對於N溝道MOS場效電晶體充電時，紅表筆應接管子的G極，黑表筆接管子的S極。 在測量完5N60C的D-S兩極，並且確實是好的之後，然後用二極體檔給MOS場效電晶體的柵源兩極之間的電容充電。 由於MOS場效電晶體的輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉歐，1GΩ＝1000MΩ），數字萬用表二極體檔的開路測量電壓約為2.8～3V，故用二極體檔的測量電壓給MOS場效電晶體的柵源兩極之間的電容充電後，可以使MOS場效電晶體D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個方法可以測量場效電晶體G-S兩極之間是否損壞。 5.5N60C的G-S兩極間的電容充電後，用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。 6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。 上面為一個好的N溝道MOS場效電晶體的測量資料。對於P溝道MOS場效電晶體的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調換一下極性。