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晶片的原料是晶圓，晶圓的成分是矽，矽是由石英沙所精練出來的，晶圓便是矽元素加以純化（99.999%），接著是將這些純矽製成矽晶棒，成為製造積體電路的。

將晶圓中植入離子，生成相應的P、N類半導體。具體工藝是是從矽片上暴露的區域開始，放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個電晶體可以通、斷、或攜帶資料。簡單的晶片可以只用一層，但複雜的晶片通常有很多層，

這時候將該流程不斷的重複，不同層可透過開啟視窗聯接起來。這一點類似多層PCB板的製作原理。 更為複雜的晶片可能需要多個二氧化矽層，這時候透過重複光刻以及上面流程來實現，形成一個立體的結構。

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晶片製造

從1930年代開始，元素週期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（William Shockley）認為是固態真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到矽，原料在1940到1950年代被系統的研究。

使用單晶矽晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然後使用光刻、摻雜、CMP等技術製成MOSFET或BJT等元件，再利用薄膜和CMP技術製成導線，如此便完成晶片製作。因產品效能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）