NAND快閃記憶體晶片是智慧手機、SSD硬碟等行業中的基礎，也是僅次於DRAM記憶體的第二大儲存晶片，國內的儲存晶片幾乎100%依賴進口。好在中國產NAND快閃記憶體目前已經露出了曙光，紫光集團旗下的長江儲存正在武漢建設NAND工廠，預計今年內量產，據悉中國產NAND快閃記憶體是32層堆疊的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發的。

今年5月10日上海展覽中心舉辦了首屆中國自主品牌博覽會，這次展會得到了國家發展改革委聯合中宣部、工業和資訊化部、農業農村部、商務部、國家市場監管總局、國家智慧財產權局、上海市人民政府的支援，主題為 “中國品牌、世界共享”，紫光集團代表北京市品牌企業參展。

紫光集團下的紫光展銳展示了SC9850HK晶片，號稱是全國第一家、世界第二家擁有自主嵌入式CPU關鍵技術的手機晶片平臺，是中國手機CPU晶片設計領域的一項重大突破。這款晶片是中國首款擁有自主嵌入式CPU關鍵技術的LTE手機晶片，其中的核心CPU為獨立自主設計，並在此基礎上建立獨立安全機制，有效保障資訊保安。

不過引人關注的是紫光的中國產NAND快閃記憶體的公開展出，根據官方資料介紹，中國產32層3D NAND快閃記憶體是長江儲存耗資10億美元，1000人團隊研發2年出來的具備中國產自主智慧財產權的3D NAND晶片。

關於製造工藝，紫光沒有明確提到工藝資訊，但表示這是中國在製造工藝上最接近國際高階水平的主流晶片，將有望使中國進入全球儲存晶片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

目前中國產32層3D NAND快閃記憶體已經研發成功，長江儲存國家儲存器基地專案晶片生產機臺已進場安裝，這標誌著國家儲存器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，中國首批擁有完全自主智慧財產權的32層三維NAND快閃記憶體晶片將於年內量產。

可以先看一下這個市場和中國產化率。2017年NAND FLASH中國產晶片佔有率是0%，這個以SSD固態硬碟為主的市場競爭嚴重不充分，由寥寥幾個家國際巨頭把控，不知道你有沒有捨得買個SSD硬碟，反正我沒有，效能是不錯但是價格是真挺貴。

而且這個行業進入壁壘相當高：投資大，風險高。10億美元研發只是入門級起步價，但是開弓沒有回頭箭，可能需要連續十年或者更長時間的大手筆研發投入才能在這個市場安身立命。再說生產投資，工廠資金密度也很大，關鍵光刻裝置千萬美元級，所以規模小了沒有成本優勢，一個工廠動輒需要幾十億美元。

現在有了紫光領軍，能夠找來資金，聚齊人才，研發出了第一代產品，開建工廠，已經走出了一個很好的開端，期待一下吧

32層儲存晶片研發成功，是一巨大勝利。儲存晶片解決中國的心病，還有更重要的是，一支研發隊伍成熟了，這是一支先遣軍，對以後對晶片發展打下了堅實基礎。

從紫光釋出的32層堆疊NAND快閃記憶體來看，雖然從技術上和世界一線廠商三星、東芝的64層3d NAND有一定差距，但是因為擁有中國自主智慧財產權，標誌著中國廠商已經完全有能力量產NAND快閃記憶體，雖然短時間看還是象徵意義大於現實意義，但長期看中國擁有自主可控的NAND快閃記憶體研發的製造能力，將擺脫快閃記憶體晶片長期受制於人的局面，對於國內NAND晶片及相關行業的發展具有戰略意義。而從紫光研發32層NAND快閃記憶體耗資10億美元看，成本還是很高的，這也是為什麼中國晶片產業發展緩慢的主要原因。

雖然紫光32層NAND快閃記憶體從技術上依然和世界先進的快閃記憶體技術存在差距，前期的產量也有限對於市場的影響也不是很大，所以短期看象徵意義大於現實意義。但是紫光32層NAND的研發成功，標誌著中國自主NAND晶片從無到有，中國完全有能力研發並生產自主的nand晶片，有助於中國逐步擺脫在NAND晶片領域對國外企業的依賴，同時NAND晶片的研發成功也可以極大的促進中國其他核心晶片的研發和生產，從戰略上講意義非凡。

而紫光32層NAND快閃記憶體耗資10億美元研發，說明晶片行業的投資十分巨大，越早研發成本越低。像早年倪光南院士率領聯想全面佈局晶片、通訊、軟體等核心技術領域，當時和世界領先水平差距並不是很大，相對的研發成本也不是很高，當時聯想如果堅持走自主研發道路的話，晶片、通訊和軟體等領域都將取得非凡的成就，而不是像現在一樣因為沒有核心技術而陷入困局。正是因為晶片行業投資巨大，所以需要政府從政策和資金上扶植晶片產業，而國內的晶片廠商和科研機構要密切協同，從戰略的角度來發展晶片行業，只有這樣中國的晶片產業才能健康發展，逐步縮小於世界先進技術的差距。

透過中興事件和聯想最近的困局充分說明發展自主可控的晶片、軟體等核心技術和產品是發展高新技術產業的必由之路。紫光中國產32層NAND快閃記憶體耗資10億美元研發成功，說明中國完全有能力研發和生產自主的晶片技術和產品，而因為研發成本高，所以更需要優先發展，國家需要在政策和資金方面扶植和引導晶片行業的發展，而晶片企業和科研機構要密切配合、協同作戰，只有這樣中國的晶片產業才能真正做到不受制於人，不斷的做大做強。

所謂的NAND快閃記憶體，就是一種用來儲存資料的電子元器件，我們比較常見的是在SSD硬碟中。這種快閃記憶體最大的特點就是速度快，所以現在很多人都會使用SSD硬碟來獲得更高的速度。

大家也知道，在電腦裡的資料都是以0和1的形式存在的，物理上對應的就是電路的斷開和閉合，所以為了在硬盤裡儲存進去大量的資料，所以必須要在小小的快閃記憶體上整合大量的電路——也就是說，每一個電路的線路要設計的非常非常細才行，這也是為什麼NAND快閃記憶體會跟CPU一樣有“製程”的概念。比如說7nm製程製作出來的NAND快閃記憶體就要比14nm製造出來的快閃記憶體效能更好、整合程度更高。

而為了實現這個目的，就要用光刻級、蝕刻機之類的機械來製造NAND快閃記憶體。而這些機械都是非常昂貴的機器。比如說下圖所示的ASML的光刻機，單價可以達到1億美元以上。而再下一張圖的蝕刻機，也是價格不菲。

首先我們注意到這是32層的NAND快閃記憶體。所謂的32層，意思就是為了使空間的利用效率更高，所以需要把很多層的線路疊在一起——簡單點兒說，就是最開始的NAND快閃記憶體是平方，空間利用效率太低了，現在變成了樓房，而且樓房越高，空間利用效率越高。

下面這張圖就展示了NAND是怎麼從單層的逐漸變成了多層的3D快閃記憶體。

但是就好像樓建的越高，設計難度就越高一樣，所以層數越多的NAND快閃記憶體設計難度就越大（當然，製造難度也就越大）。現在國際上比較主流的NAND晶片已經能夠做到64層的了，更先進的96層也會在2018年投產。

首先，從製造難度和設計難度上看，這樣的錢不算多。我們簡單看一下全球前十大半導體生產廠商的研發費用：

可以一年的研發費用20億也就勉勉強強排上前十，第一名的英特爾一年砸在研發上就超過130億美元。所以紫光兩年才花了10億美元，只能說是投入非常一般了。而且應該看到，中國的半導體產業剛剛起步不久，還有很多功課要補，所以十億美元真的不多。

下面這張圖，是2017年上半年NAND快閃記憶體的價格走勢圖，從中可以看到，短短半年間，NAND快閃記憶體的價格就從不到3000，漲到3600左右，漲幅達到20%。可是明明技術在進步，怎麼快閃記憶體價格卻越來越貴呢？

簡單來說，現在能夠做得出來高品質快閃記憶體的廠商就只有三星/東芝/美光/海力士，壟斷了市場之後，不漲價還等著什麼？外加三星在16年底經歷了Note7的滑鐵盧，當然要從快閃記憶體業務裡面好好賺一筆了。

而中國2016年在半導體上的進口額高達2600億美元，雖然這其中不全是NAND快閃記憶體，但是這樣一個體量的進口，漲價20%帶來了多大的損失？這些損失最終都是要消費者承擔的，所以紫光花費10億美元研製快閃記憶體，也就不足為奇了。

這就是不懂市場規律了。紫光固然可能賣的不便宜——這裡面可能是因為良品率的原因，也有可能是著急回籠資金的原因，但是作為一個潛在的競爭對手，紫光的存在永遠是三星這幫企業的眼中釘肉中刺，只要紫光有能力生產出來跟他們差不多的產品，他們就絕對不敢像原來那樣，半年漲價20%了。

你可以不買紫光的產品，但是不可以說他的研發是沒有作用的。

值，非常值，花再多錢解決了中國芯自主智慧財產權問題就值，外華人掐著脖子喘不過氣難受呀！有錢外華人不鬆手難受的還是自己，突破封鎖，拿下核心技術不花錢那是不可能的，所以只要花的值，支援

我個人認為，只要能研發出來，錢都不是事，就算沒有研發成功，我們還是累積了寶貴的經驗，我認為，這些經驗是用金錢買不來的，我們這一代沒有研發出來，但我們積累了經驗，留給後人的就是經驗。這才是真正的財富。

被人牽著鼻子走，被別人卡著脖子，看別人臉色辦事，難不難受？遠的不說，近的中興事件是活生生的例子。說的不好聽，我泱泱大國，還缺人才嗎？我們不缺人才，我們缺的是擔當，缺的是責任，缺的是敢於創新，敢吃螃蟹的人或者企業。看看國外的企業，國外的科技巨頭，研發一個專案，失敗了就扔掉了，雖然投入了大量的人力，物力，財力，但是他們累積了相當豐富的經驗啊。可能從這個專案衍生出來新的產品，新的思路，這些都是無價之寶。他們敢創新，敢失敗，敢從頭再來。

反觀國內的企業，老給人一種以氪金的態度，不是說氪金不好，企業要發展，氪金是必須得，也是必要的，但你不能想著眼前的利益啊。遠的不說，近的，華為手機的麒麟處理器，04年成立，13年問世，期間可能失敗，近十年的投入打水漂，人家堅持下去了。如果當初沒有研發麒麟處理器，現在可能被高通，聯發科卡脖子，還得看人臉色，華為自己研發的高階儲存器，用於自己的產品，如果被美國盯上了，也不會像中興那樣立馬宕機，好歹還能緩一緩。

如何看待？這命題就有問題，中國半導體本來就起步晚還遠遠落後，現在紫光有小成績了，我們華人需要給他們鼓勵而不是質疑。

在全球NAND快閃記憶體市場上，三星、日立、Spansion和Intel是這個市場的四大生產商。而我們沒有具備中國產自主智慧財產權的快閃記憶體晶片，只能長期依賴進口。但是過度依賴會面臨斷供的風險，儲存晶片時不時的漲價也會讓國內終端廠商苦不堪言。

最近紫光集團表示國內首顆32層三維快閃記憶體晶片(3DNANDFlash)由長江儲存耗資10億美元，歷時2年研發，預計將在2019年開始量產64層堆疊的3D NAND快閃記憶體。這是一件令人振奮的事情，說明我們中國產NAND快閃記憶體與國際NAND快閃記憶體的差距正在縮短。

隨著智慧手機發展越來越快，手機裡需要承載的功能也是越來越多，並且使用雙攝像頭的話需要更多的儲存承載手機的拍照畫素。而中國是全球最大的資料產生地和消費地，儲存容量和效能的需求增長迅速，並擁有全球半數以上的大客戶。而3D NAND能夠提供更大的容量、更好的效能和更高的可靠性。當嵌入到智慧手機等移動裝置中時，能夠大幅度改善記憶體級儲存，並挖掘儲存容量方面的巨大增長潛力。

現在自主 DRAM 和 3D NAND 技術這條道路，紫光集團有能力研發生產出標誌著中國自主品牌快閃記憶體產品，未來儲存晶片供不應求的局面將有所改觀，缺貨的局面會得到改善，價格也會有所下調。中國在本土發展完整的晶片事業，也是中國實現“科技強國”這一目標的必經之路，我們給予支援。