記憶體編碼含義
記憶體編碼含義，需要我們知道記憶體顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。
基本資訊
中文名
外文名
Samsung
電壓
空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
具體含義解釋
主要含義：
第1位——晶片功能K，代表是記憶體晶片。
第2位——晶片型別4，代表DRAM。
第3位——晶片的更進一步的型別說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（視訊記憶體顆粒）。
第4、5位——容量和重新整理速率，容量相同的記憶體採用不同的重新整理速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——資料線引腳個數，08代表8位資料；16代表16位資料；32代表32位資料；64代表64位資料。
第8位——為一個數字，表示記憶體的物理Bank，即顆粒的資料位寬，有3和4兩個數字，分別表示4Banks和8Banks。對於記憶體而言，資料寬度×晶片數量=資料位寬。這個值可以是64或128，對應著這條記憶體就是1個或2個bank。例如256M記憶體32×4格式16顆晶片：4×16=64，雙面記憶體單bank；256M記憶體16M×16格式 8顆晶片：16×8=128，單面記憶體雙bank。所以說單或雙bank和記憶體條的單雙面沒有關係。另外，要強調的是主機板所能支援的記憶體僅由主機板晶片組決定。記憶體晶片常見的資料寬度有4、8、16這三種，晶片組對於不同的資料寬度支援的最大資料深度不同。所以當資料深度超過以上最大值時，多出的部分主機板就會認不出了，比如把256M認成128M就是這個原因，但是一般還是可以正常使用。
第9位——由一個字元表示採用的電壓標準，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。與DDR的2.5V電壓相比，DDR2的1.8V是記憶體功耗更低，同時為超頻留下更大的空間。
第10位——由一個字元代表校訂版本，表示所採用的顆粒所屬第幾代產品，M表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，長方形的記憶體顆粒多為A、B、C三代顆粒，而現在主流的FBGA顆粒就採用E、F居多。靠前的編號並不完全代表採用的顆粒比較老，有些是由於容量、封裝技術要求而不得不這樣做的。
第11位——連線“-”。
第12位——由一個字元表示顆粒的封裝型別，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA兩種封裝，而FBGA是主流（之前稱為mBGA）。其實進入DDR2時代，顆粒的封裝基本採用FBGA了，因為TSOP封裝的顆粒最高頻率只支援到550MHz，DDR最高頻率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就無法實現了。
第13位——由一個字元表示溫控和電壓標準，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常規的1.8V電壓標準；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低電壓版，適合超頻，一般很少在普及型記憶體上使用，因為三星比較注重穩定性和相容性，並不想更多的發燒友超頻帶來危險。
第14、15位——晶片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。DDR2起步頻率是400MHz，主流最高頻率是800MHz，也有品牌出過1066MHz，其實在DDR2的應用層面上已經沒有多大的用處了，因此這段的兩個字元“CC”表示DDR2-400（200MHz@ CL=3、tRCD=3、tRP=3）、“D5”表示DDR2-533（266MHz@ CL=4、tRCD=4、tRP=4）、“E6”表示DDR2-667（333MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）、“E7”表示DDR2-800（400MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）
記憶體編碼含義
記憶體編碼含義，需要我們知道記憶體顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。
基本資訊
中文名
記憶體編碼含義
外文名
Samsung
電壓
空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
Samsung
具體含義解釋
記憶體編碼含義
主要含義：
第1位——晶片功能K，代表是記憶體晶片。
第2位——晶片型別4，代表DRAM。
第3位——晶片的更進一步的型別說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（視訊記憶體顆粒）。
第4、5位——容量和重新整理速率，容量相同的記憶體採用不同的重新整理速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——資料線引腳個數，08代表8位資料；16代表16位資料；32代表32位資料；64代表64位資料。
第8位——為一個數字，表示記憶體的物理Bank，即顆粒的資料位寬，有3和4兩個數字，分別表示4Banks和8Banks。對於記憶體而言，資料寬度×晶片數量=資料位寬。這個值可以是64或128，對應著這條記憶體就是1個或2個bank。例如256M記憶體32×4格式16顆晶片：4×16=64，雙面記憶體單bank；256M記憶體16M×16格式 8顆晶片：16×8=128，單面記憶體雙bank。所以說單或雙bank和記憶體條的單雙面沒有關係。另外，要強調的是主機板所能支援的記憶體僅由主機板晶片組決定。記憶體晶片常見的資料寬度有4、8、16這三種，晶片組對於不同的資料寬度支援的最大資料深度不同。所以當資料深度超過以上最大值時，多出的部分主機板就會認不出了，比如把256M認成128M就是這個原因，但是一般還是可以正常使用。
第9位——由一個字元表示採用的電壓標準，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。與DDR的2.5V電壓相比，DDR2的1.8V是記憶體功耗更低，同時為超頻留下更大的空間。
第10位——由一個字元代表校訂版本，表示所採用的顆粒所屬第幾代產品，M表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，長方形的記憶體顆粒多為A、B、C三代顆粒，而現在主流的FBGA顆粒就採用E、F居多。靠前的編號並不完全代表採用的顆粒比較老，有些是由於容量、封裝技術要求而不得不這樣做的。
第11位——連線“-”。
第12位——由一個字元表示顆粒的封裝型別，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA兩種封裝，而FBGA是主流（之前稱為mBGA）。其實進入DDR2時代，顆粒的封裝基本採用FBGA了，因為TSOP封裝的顆粒最高頻率只支援到550MHz，DDR最高頻率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就無法實現了。
第13位——由一個字元表示溫控和電壓標準，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常規的1.8V電壓標準；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低電壓版，適合超頻，一般很少在普及型記憶體上使用，因為三星比較注重穩定性和相容性，並不想更多的發燒友超頻帶來危險。
第14、15位——晶片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。DDR2起步頻率是400MHz，主流最高頻率是800MHz，也有品牌出過1066MHz，其實在DDR2的應用層面上已經沒有多大的用處了，因此這段的兩個字元“CC”表示DDR2-400（200MHz@ CL=3、tRCD=3、tRP=3）、“D5”表示DDR2-533（266MHz@ CL=4、tRCD=4、tRP=4）、“E6”表示DDR2-667（333MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）、“E7”表示DDR2-800（400MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）