slc好於mlc好於tlc，不過技術是進步的，現在大部分的tlc盤都挺快的。
1.SLC
SLC全稱是單層式儲存 （Single Level Cell），因為結構簡單，在寫入資料時電壓變化的區間小，所以壽命較長，傳統的SLC NAND快閃記憶體可以經受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅動，所以其速度表現更好，目前很多高階固態硬碟都是都採用該型別的Flash快閃記憶體晶片。
2.MLC
MLC全稱是多層式儲存（Multi Leveled Cell），它採用較高的電壓驅動，透過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位資訊，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態硬碟中應用最為廣泛的MLC NAND快閃記憶體，其最大的特點就是以更高的儲存密度換取更低的儲存成本，從而可以獲得進入更多終端領域的契機。不過，MLC的缺點也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，官方給出的可擦寫次數僅為1萬次。
3.TLC
SLC即Triple-cell-per-bit，由於採用三層儲存單元，因此可以以較低的成本實現更大的容量。具體來講，SLC只有兩個電平狀態，MLC則為4個，TLC則多達8個，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此價格也便宜了33%。當然良品率等因素也會對價格產生影響。
由於TLC擁有多達8個電平狀態，因此在電位控制上更加複雜，特別是寫入速度會大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態，電子一旦溢位變會非常容易導致出錯，難以控制，這就是為什麼需要更強ECC糾錯能力的原因，否則TLC快閃記憶體的壽命將會不堪一擊。
slc好於mlc好於tlc，不過技術是進步的，現在大部分的tlc盤都挺快的。
1.SLC
SLC全稱是單層式儲存 （Single Level Cell），因為結構簡單，在寫入資料時電壓變化的區間小，所以壽命較長，傳統的SLC NAND快閃記憶體可以經受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅動，所以其速度表現更好，目前很多高階固態硬碟都是都採用該型別的Flash快閃記憶體晶片。
2.MLC
MLC全稱是多層式儲存（Multi Leveled Cell），它採用較高的電壓驅動，透過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位資訊，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態硬碟中應用最為廣泛的MLC NAND快閃記憶體，其最大的特點就是以更高的儲存密度換取更低的儲存成本，從而可以獲得進入更多終端領域的契機。不過，MLC的缺點也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，官方給出的可擦寫次數僅為1萬次。
3.TLC
SLC即Triple-cell-per-bit，由於採用三層儲存單元，因此可以以較低的成本實現更大的容量。具體來講，SLC只有兩個電平狀態，MLC則為4個，TLC則多達8個，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此價格也便宜了33%。當然良品率等因素也會對價格產生影響。
由於TLC擁有多達8個電平狀態，因此在電位控制上更加複雜，特別是寫入速度會大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態，電子一旦溢位變會非常容易導致出錯，難以控制，這就是為什麼需要更強ECC糾錯能力的原因，否則TLC快閃記憶體的壽命將會不堪一擊。