在不同的記憶體條上，都分佈了不同數量的塊狀顆粒，它就是我們所說的記憶體顆粒。同時我們也注意到，不同規格的記憶體，記憶體顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為記憶體顆粒“包裝”技術的不同導致的。一般來說，DDR記憶體採用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝）封裝技術，又長又大。而DDR2和DDR3記憶體均採用FBGA（底部球形引腳封裝）封裝技術，與TSOP相比，記憶體顆粒就小巧很多，FBGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優勢明顯。
TSOP是記憶體顆粒透過引腳焊接在記憶體PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與記憶體PCB介面處有很多金屬柱狀觸點，並且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，但焊點和PCB的接觸面積較小，使得DDR記憶體的傳導效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。FBGA封裝把DDR2和DDR3記憶體的顆粒做成了正方形，而且體積大約只有DDR記憶體顆粒的三分之一，記憶體PCB上也看不到DDR記憶體晶片上的柱狀金屬觸點，因為其柱狀焊點按陣列形式分佈在封裝下面，所有的觸點就被“包裹”起來了，外面自然看不到。其優點是有效地縮短了訊號的傳導距離。
速度與容量：成倍提升
選擇記憶體和CPU搭配的時候就是看記憶體頻寬是否大於或者等於CPU的頻寬，這樣才可以滿足CPU的資料傳輸要求。從頻寬公式（頻寬=位寬×頻率÷8）可以得知，和頻寬關係最緊密的就是頻率。這也是為什麼三代記憶體等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的頻寬。
不僅速度上有所提升，而且隨著我們應用的提高，我們也需要更大容量的單根記憶體，DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的記憶體，而到了DDR2時代，兩根1GB記憶體就只是標準配置了，記憶體容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今後還會有單根8GB的記憶體出現。這說明了人們的對記憶體容量的要求在不斷提高。
延遲值：一代比一代高
任何記憶體都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，記憶體的延遲值越小，傳輸速度越快。從DDR、DDR2、DDR3記憶體身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR記憶體的延遲值（第一位數值大小最重要，普通使用者關注第一位延遲值就可以了）為1.5、2、2.5、3；而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6；到了DDR3時代，延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。
功耗：一次又一次降低
電子產品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是透過金手指從主機板上的記憶體插槽獲取的，記憶體電壓的高低，也反映了記憶體工作的實際功耗。一般而言，記憶體功耗越低，發熱量也越低，工作也更穩定。DDR記憶體的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V；到了DDR3記憶體時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR記憶體發展到DDR3記憶體，儘管記憶體頻寬大幅提升，但功耗反而降低，此時記憶體的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。
製造工藝：不斷提高
從DDR到DDR2再到DDR3記憶體，其製造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使記憶體電氣效能更好，成本更低。譬如DDR記憶體顆粒廣泛採用0.13微米制造工藝，而DDR2顆粒採用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝（1微米=1000奈米）。
在不同的記憶體條上，都分佈了不同數量的塊狀顆粒，它就是我們所說的記憶體顆粒。同時我們也注意到，不同規格的記憶體，記憶體顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為記憶體顆粒“包裝”技術的不同導致的。一般來說，DDR記憶體採用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝）封裝技術，又長又大。而DDR2和DDR3記憶體均採用FBGA（底部球形引腳封裝）封裝技術，與TSOP相比，記憶體顆粒就小巧很多，FBGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優勢明顯。
TSOP是記憶體顆粒透過引腳焊接在記憶體PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與記憶體PCB介面處有很多金屬柱狀觸點，並且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，但焊點和PCB的接觸面積較小，使得DDR記憶體的傳導效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。FBGA封裝把DDR2和DDR3記憶體的顆粒做成了正方形，而且體積大約只有DDR記憶體顆粒的三分之一，記憶體PCB上也看不到DDR記憶體晶片上的柱狀金屬觸點，因為其柱狀焊點按陣列形式分佈在封裝下面，所有的觸點就被“包裹”起來了，外面自然看不到。其優點是有效地縮短了訊號的傳導距離。
速度與容量：成倍提升
選擇記憶體和CPU搭配的時候就是看記憶體頻寬是否大於或者等於CPU的頻寬，這樣才可以滿足CPU的資料傳輸要求。從頻寬公式（頻寬=位寬×頻率÷8）可以得知，和頻寬關係最緊密的就是頻率。這也是為什麼三代記憶體等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的頻寬。
不僅速度上有所提升，而且隨著我們應用的提高，我們也需要更大容量的單根記憶體，DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的記憶體，而到了DDR2時代，兩根1GB記憶體就只是標準配置了，記憶體容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今後還會有單根8GB的記憶體出現。這說明了人們的對記憶體容量的要求在不斷提高。
延遲值：一代比一代高
任何記憶體都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，記憶體的延遲值越小，傳輸速度越快。從DDR、DDR2、DDR3記憶體身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR記憶體的延遲值（第一位數值大小最重要，普通使用者關注第一位延遲值就可以了）為1.5、2、2.5、3；而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6；到了DDR3時代，延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。
功耗：一次又一次降低
電子產品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是透過金手指從主機板上的記憶體插槽獲取的，記憶體電壓的高低，也反映了記憶體工作的實際功耗。一般而言，記憶體功耗越低，發熱量也越低，工作也更穩定。DDR記憶體的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V；到了DDR3記憶體時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR記憶體發展到DDR3記憶體，儘管記憶體頻寬大幅提升，但功耗反而降低，此時記憶體的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。
製造工藝：不斷提高
從DDR到DDR2再到DDR3記憶體，其製造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使記憶體電氣效能更好，成本更低。譬如DDR記憶體顆粒廣泛採用0.13微米制造工藝，而DDR2顆粒採用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝（1微米=1000奈米）。