中科院公佈5nm光刻研究取得重大技術突破，可喜可賀！

中國能不能自己獨立研製出高精度光刻機，我相信完全可能。但還需要時間。

從歷史經驗上來看，60年代蘇聯撤走專家，逼得新中國無路可走，中國科學家硬是用算盤造出了原子彈氫彈，硬是將東方紅衛星送上天，核潛艇深潛海底；歐美西方限制中國進入空間站，中國科學家硬是獨立自主發展自己的航天事業，嫦娥登月，天宮空間站，北斗導航；西方對中國武器禁運，中國不服氣，航母大驅下餃子，殲十殲20運20效能超群；高鐵技術歐日高價要挾中國，我們的科學家創造出最大規模的、獨具特色的全球高速鐵路網。

越是西方限制的，越說明我們必須擁有。中中國人的聰明才智，加上集中辦大事的社會主義制度，攻艱克難，實現擁有並超越是完全可能的。

從邏輯上來看，西方把中國逼得什麼都要自己做，結果是西方倒逼我們完善健全了工業體系，同時促進了中中國人民奮發圖強的決心。我們研發生產出來的高尖產品，更加完善，更加可以避免了西方國家走的彎路。自己一國的技術組合優於西方多國的拼湊，產品效能更具獨創性和安全性。

從後果來看，一旦中國擁有和掌握了全新的技術和裝備，西方世界就會神經緊張，因為他們的技術壁壘就必將瓦解。他們限制中國而失去了廣大的市場，他們就會完蛋了，他們是拿命運來押賭中國，中國勝他們就敗了。還有就是他們將因為技術落後而被淘汰，或者利益至上的西方就會在此時相互撒臺以求自保。

由於美國的封鎖和對華為的制裁，逼著國內有識之士和專業人士開始嘔心瀝血的為光刻機的尖端突破夜以繼日的工作。

超級激動，據中國微米奈米技術學會報道，中國科學院蘇州奈米技術與奈米仿生研究所張子暘研究員，與國家奈米科學中心劉前研究員合作，在《奈米快報》上發表了題為《超解析度鐳射光刻技術製備 5nm 間隙電極和陣列》的研究論文，論文講述了該團隊開發的新型 5 nm 超高精度鐳射光刻加工方法。

這一研究成果的意義不僅是讓中國的光刻技術上了新臺階，關鍵是工作效率提升了幾百倍。

研究團隊還利用上述具有超分辨的鐳射直寫技術，實現了奈米狹縫電極陣列結構的大規模製備。

這是什麼概念?舉個例子，採用常規聚焦離子束刻寫的方式，製備一個奈米狹縫電極需要 10 到 20 分鐘，而利用本文開發的鐳射直寫技術，一小時就能製備約 5 × 105 個奈米狹縫電極，其大規模的生產潛力非常大。

光刻機作為前道工藝七大裝置之首（光刻機、刻蝕機、鍍膜裝置、量測裝置、清洗機、離子注入機、其他裝置），價值含量極大，在製造裝置投資額中單項佔比高達 23%。

同時，光刻機的技術要求極高，涉及精密光學、精密運動、高精度環境控制等多項先進技術。業界普遍認為，光刻機是人類文明的智慧結晶，其還被譽為半導體工業CROWN上的明珠。

所以，美國要制裁華為，就從光刻機下手，不給你華為加工晶片，美國險惡用心，已經是司馬昭之心，路人皆知，而它的獨斷專行也必將為此付出慘重代價。

光刻機分為前道光刻機和後道光刻機，前者用於晶片製造，大家熟知的 ASML 的光刻機便是前道光刻機；後道光刻機則主要用於晶片封裝。

目前，全球前道光刻機被 ASML、尼康、佳能完全壟斷，CR3（業務規模前三名的公司所佔的市場份額）高達 99%。在當前局勢下，實現光刻機的中國產替代勢在必行，具有重大戰略意義。

但是目前光刻機已經到了發展極限，包括7nm還是臺積電多次曝光技術。

而中科院此次研究成果直接打破了傳統鐳射直寫技術中受體材料為有機光刻膠的限制，可使用多種受體材料，擴充套件了鐳射直寫的應用場景。

所以，無論ASML多麼先進，我們已經迎來了黎明的曙光，既然曙光來臨，Sunny普照中華大地還會遠嗎?

友友，你說呢？

這個確實是一個好的開端，這次的自研5nm方案的出現，也證明了投入是有效果的。

也許在不久的將來，中國在晶片方面也會有一個很高的地位。就當下的情況來說，確實是應該高興，但也需要更多的理性看待。

有些東西在實驗室裡弄出來，例如航天。它並不需要大量量產，從無到有就夠了。

而光刻機不一樣，它面向的是民用商用的更多。它不光需要從無到有，還需要從有到量產，從量產到大規模量產，從大規模量產到低成本量產。

現在能走出第一步可喜可賀，要知道除了中國以外絕大多世界強國加一起也沒第二個ASML整出另一條道出來。

實現了從有到無，但是量產成本和時間暫不知。軍用上刻點用用問題不大，民用能不能跟上得看。 實際上我記得7nm duv工藝，在中科院實驗室裡也能弄出來，通過多重曝光。不過刻一片我記得需要一星期好像，而臺積電那邊可以做到直接大量量產供應，這就是技術差距。

我覺得不是。這個就好像在一片漆黑的路上，原來什麼都看不到，現在有了一絲絲的微光，雖然離最後的光明大道還有很遠很遠，但總比什麼都看不到要好。

所以，在晶片方面，中國還有很遠很遠的路要走，它不僅僅是光刻機的問題。而目前來說，連光刻機的問題都需要走很久，需要很長時間的發展，那麼晶片的從零到一，需要的時間是更長的。

最近這段時間，中國產光刻機在技術上取得了不少新進展，讓人感到興奮，但是中國產光刻機即使可以達到生產28nm晶片的水平，距離目前業界先進的7nm技術仍然有很大的差距，這其中的關鍵點就在於缺乏中國產EUV光刻機，也就是極紫外光刻技術，而中科院最近宣佈在5nm光刻研究上取得了重大突破，讓人倍感振奮。

中科院搞定的這項新技術，可以用鐳射在靶材上加工出寬度最細5nm的物理結構。和之前的同類技術相比，工作效率大大提升，可以說為將來的中國產5nm晶片技術打下了一個重要的技術儲備，但是僅憑這項技術就說中科院掌握5nm光刻還是言過其實，畢竟這次技術進步和光刻機本身沒有太直接的關係，只是名字裡帶著“光刻”兩個字罷了。

5nm晶片之所以難做，是因為傳統的DUV的波長是193nm，就是因為干涉衍射現象嚴重，然而光波長越短加工精度越高，為了提升晶片的加工精度，所以ASML就研發除了EUV極紫外光刻機，通過使用波長只有13.5nm的極紫外光來對晶片進行奈米級的精細加工。

而中科院搞的這個5nm鐳射光刻技術，原理上是利用干涉衍射的現象，產生了5nm的特徵圖形，從而大大提升了精度水平，設計思路和FIB（聚焦離子束）基本一致，但加工精度直接提升到了納米級的水平，同時效率的提升也使這項技術有了投入商業化的潛力。即便無法直接加工晶片，但至少可以製造出加工晶片必不可少的關鍵部件，意義還是不小的。

所以說，中國產5nm晶片目前離我們還是相當遙遠，單項技術的進展並不能使我們成功製造5nm晶片，這是一個系統而複雜的大工程，如果把中科院這項技術進展作為中國產晶片的里程碑的話，那麼在可以預見的未來，會有更多里程碑出現，讓我們拭目以待。

大家還是要冷靜冷靜再冷靜。現在中科院蘇州奈米所的團隊開發了一種新的鐳射光刻技術，確實在理論上是不需要使用euv技術就可以製造出5nm的特徵線寬，確實是一項重大突破。但是這還是實驗室中取得的技術突破，並沒有達到量產的程度。同時在論文中也沒有強調可以用於生產半導體晶片，甚至連一個字都沒有提到荷蘭的光刻機。所以我們也不要太過興奮，即使真的可以用於半導體晶片，那未來的時間還需要比較長。

確實在半導體晶片方面，美國對我們的制約非常大，尤其是在核心技術方面，目的就是想限制中國產科技的發展。我們的晶片和技術系統仍然受制於美國何其聯萌的一些西方國家。雖然中國已經開始了自主研發的歷程，但是一時半會確實無法快速追趕上。

但是在此過程中也有好訊息，在5月30日北京大學就宣佈攻克了半導體材料的瓶頸，在半導體基礎的碳基材料上取得重大突破，可以製備出高密度高純度的半導體陣列碳奈米管材料，這是領先國際兩年以上。此次中科院蘇州所發表的論文也是一個好訊息，雖然不至於讓我們在短期內進行彎道超車或者另闢一個技術道路，讓我們看到了中國產科研技術的持續進步早早晚晚我們將突破美國的技術壟斷，實現完全的自主研發。

此次中科院蘇州所發表的論文，也是經過了多年的科學研究，雖然此次沒有說在計算機晶片方面會有廣闊的應用前景，但是這項技術是一個基礎技術，未來不僅僅會在計算機晶片方面，可能在積體電路及危機電系統都會有著廣泛的應用。希望他們加快技術進展，爭取讓此項在國際上取得突破。

我們太需要在這個方面進行技術封鎖的突破了，突破之後，我們對荷蘭的asml裝置就不會那麼依賴了。同樣我們也將迎來國際上領先的晶片技術，世界各國如果應用，也得受我們的技術要求約束，那自然所有的限制都會被取消了。

你好，要說離ASML公司差距變小是沒錯的，不過這個5nm光刻與5nm光刻機真不是一個概念能對比的。

像荷蘭ASML光刻機，工業原理是製備好對應圖形的光罩mask，然後把mask上所有的圖形一次曝光到晶圓上，每一曝一次的時間不到0.2秒，曝光100次也不用到18秒。

而中科院的這個光刻技術原理是鐳射寫圖形，速度比現在的scanner速度慢太多，估計1000臺還比不上工業的光刻機一臺，目前還不具備用於晶圓製造的可能性。

當然，這還只是目前的現狀，至於未來中科院的鐳射光刻能否突破，直接替代工業光刻機也未必沒有可能，只是這個設想要實現差距還是有點大。

我們要知道，目前荷蘭ASML子公司cymer為代表的EUV光源技術路線，是通過長期投入鉅額的資金人力研發出來的成果，壁壘也是非常高的，想要直接追趕的話，成功的可能性也許會趨於零。

目前中科院的5nm光刻研究是選擇了用超解析度直寫的新技術路線，雖然風險更大了，侷限也增多了，卻是有可能成功的道路。

另外，光刻機是位於半導體裝備產業鏈最下游的一種整合裝置，光源只是其中的一個小部分，而且新技術從實驗室到工程樣機，再到產業化，是一個比早期原理研究更困難的過程，我們只能拭目以待吧。

中國科技部門應時刻了解世界科技發展動態，下大力氣佈局、鼓勵關係國計民生前途的基礎研究，獎賞科技創新，抓好專利權維護工作，組織丶協調丶整合一流的科研丶生產機構，迅速地把新技術丶新發明開發丶生產丶應用，儘快回饋於相關的科研丶生產企業以較高的經濟利益，推動科技的良性發展。中國必須扶持科技創新，創新之要在於培育人才，人才的湧現的關鍵在於加強學生髮散思維與動手能力。

我們還要打造環環相扣的人才為我所用的良好體制，其中除了給學生以愛國科學家為榜樣的教導，還要重獎有突出科技成果的人才，扶持孜孜不倦的研究機構及人員。

中國應該向科技發達的國家學習，如學習美丶日丶德等國的先進經驗，研究其之所以發達的機制，結合中國實際，全力打造我們的科技航母。

時下，光刻機的突破，正是在國家的高度重視下，集中優勢資源產生的效果。我們應利用制度的優勢，合力攻堅，在大中華佈局一條完整的半導體產業鏈，降低對外國高科技的依賴性，讓我們的半導體產業置身於產業鏈上游，對各國成為居高臨下的產業技術丶產品輸出國，為我們創造源源不斷的鉅額財富。

這個要說與asml那句變得很小了，我不敢苟同。

首先我們看一下所謂中科院在5 nm光刻技術方面取得的重大突破是什麼。

據中科院7月7日官網報道，研究團隊近日發表論文，提出一種新型5nm超高精度鐳射光刻加工方法，利用這種超分辨的鐳射直寫技術，實現了納米狹縫電極陣列結構的大規模製備。

打破了傳統鐳射直寫技術中受體材料為有機光刻膠的限制，可使用多種受體材料，擴充套件了鐳射直寫的應用場景，在積體電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現了廣闊的應用前景。

這只是一種技術上的理論突破，就好比你要蓋一座房子，目前你在圖紙上已經畫出了比較先進的圖形，這個圖形的樣式，抗震效能，外觀等方面都算是目前世界一流水平，但如何把你設計的這個房子用合適的材料，按照你要求的規格建造出來，這才是一個巨大的難題。所以說對於中科院5nm光刻機方面理論研究的突破，我們在鼓舞欣慰的同時，也不要盲目自大。因為從理論到這個理論落實，並把它實際的製作出來，還有一段很長的路要走。

對，理論上就是這麼簡單。那為什麼全世界只有荷蘭的asml公司才可以製作出來呢？這就牽扯到了製作技術極限的問題。因為技術發展到現在，光刻刀的寬度已經達到了5 nm的寬度，而這種寬度對於各種機械、透鏡、光源、精度、材料等的要求都是無比苛刻的。而只有所有的基礎性的材料的誤差都在極為嚴苛的情況下，才可以保證製造出來的光刻機，在製作晶片的時候成片率高。上面提到的所有所需的材料和技術並沒有世界上哪一家公司可以自己完成，之所以荷蘭公司可以一家獨大，這技術並不是這一家公司的技術，而是西方所有頂尖技術的集合。

不客氣的說，以我們國家目前的科技實力和工業基礎，在短時期內完成光刻機的超越，是不可能實現的。但是我們也不能因此而喪失信心，因為中華民族的人民都是勤勞勇敢樸實的，有了這種基因做支撐，相信在不久的將來，我們不但要迎頭趕上歐美國家，突破他們對我們的技術封鎖，而且在某些方面可能要實現彎道超車。

中科院的5nm光刻和荷蘭ASML EUV光刻機不是一個概念，不過卻是中國光學領域的一個里程碑。

中科院的5nm光刻技術屬於鐳射直寫的技術方式，但是鐳射直寫不能用來生產晶片，一般都是用來製作掩膜板的，而掩膜板的精度亞微米級別就夠了，不需要這麼高的精度，由於不需要掩模版非常有利於實驗室環境，在積體電路、光子晶片、微納感測、光電晶片、奈米器件等領域有很廣闊的應用前景，這點在中科院的截圖中也看到了，但是沒有提到晶片製造。

這次的技術總體而言是是晶片製造工藝的彎道超車，無掩膜直雕，用不到傳統的光刻膠和蝕刻技術，直接鐳射雕刻而成，這和西方國家的路子不是同一條的，具有很大的挑戰性和可行性。

雖然技術路線不同，但是寫也是中國科學家在光學領悟的又一重大突破，而在文章中還看到這麼兩句話“該研究使用了研究團隊開發的具有完全智慧財產權的鐳射直寫裝置”，和“研究團隊針對鐳射微納加工中所面臨的實際問題出發，解決了高效和高精度之間的固有矛盾”。

這說明該技術的裝置是自己生產的，具備批量生產的能力，並不會存在卡脖子的現象，而高效與精度的結合也反映出該裝置的效率以及精度穩定性，能快速的生產高精度器件。

這倆點在文章中顯得格外耀眼和深刻，這是一個很好的起點以及發力點。

不過該技術還在實驗階段，如果繼續擴大科技成果實現量產化絕對是振奮人心舉國同慶的事情。

中國科學院蘇州奈米技術與奈米仿生研究所張子暘研究員，和國家奈米中心劉前研究員合作，成功開發新型奈米超高精度鐳射光刻加工方法，這種超高精度鐳射光刻技術對未來晶片製造會有革命性影響，這樣就可以突破美國對中國的技術封鎖，真的是可喜可賀。

眾所周知，由於美國打壓華為，造成中國晶片供應出現問題，尤其是7nm以上的晶片製造技術，如果採取國際封鎖後，中國通訊和資訊化產業將會受到極大影響，除了華為之外，中興、浪潮、海康威視、聯想等企業也隨時有可能出現晶片斷供。

在晶片設計方面，中國已經和國際先進水平接軌，問題主要集中在晶片加工方面，其中關鍵就是光刻機技術，如果這次科研突破能夠解決超高精度晶片加工問題，光刻機壟斷就被打破了，不但不再受制於人，而且還可以參與國際競爭，這必將產生巨大的市場前景。

儘管現在只是處於研發突破，還沒有進入實質生產階段，未來可能還會存在一定的不確定性，但是我們已經找到了解決問題的方法，相信我們的科研人員一定能夠快速產業化，打破美國對中國的技術封鎖。

通過這件事情，我覺得中國應該加大科研投入，提高科研人員待遇，加大智慧財產權保護，讓科研人員能夠專心做研究，同時要加強企業和科研機構合作，儘快實現高新技術產業化，只有這樣中國才能夠在科技方面獨樹一幟，擺脫受制於人的局面。