晶片是手機、電腦等很多電子產品的核心器件，因為封裝在電子產品內部，很少人能夠看到其廬山真面目。事實上，晶片是由大量的電晶體按照特定設計圖紙的要求連線起來，從而實現資料運算與處理的大規模積體電路。因此可以看出，電晶體是組成晶片的基本單位。

電晶體的結構如下圖所示：

電晶體由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三部分組成。電流從源極流向漏極，柵極可以控制源極和漏極間電流的通斷；柵極的寬度決定了電流透過時的損耗。

製程就是指電晶體中柵極的最小寬度，以7nm晶片為例，7nm晶片就是指該晶片中電晶體的柵極最小寬度為7nm。晶片行業流傳著一個定律叫，摩爾定律。它是由英特爾的創始人之一戈登·摩爾提出來的，內容是：當價格不變時，晶片上容納的電晶體的數量，約每隔18-24個月便會增加一倍，效能也將提升一倍。

從中我們可以讀出以下資訊：電晶體數量決定了晶片效能的高低。柵極的大小可以決定電晶體體積的大小，而柵極的大小取決於晶片製造過程中的製程。

也就是說製程決定了晶片的效能，其影響主要體現在以下兩點：

1.晶片功耗和發熱的減少：柵極越窄，源極和漏極間的電流透過時遇到的阻力越小，晶片執行的電流就可以越小；另外電流損耗部分轉化成的發熱就越少。因此晶片的執行功耗和發熱量就可以有效降低。

2.資料處理效能的提升：電晶體體積越小，在同等面積的條件下，可容納的電晶體數量就會增加。電晶體相當於一個開關，電晶體數量越多，開關就越多，對電路里電流的邏輯控制能力就越強，晶片對資料的處理效能也就越強。

晶片從10nm過渡到7nm，進而逐漸邁向5nm，每一次進步都伴隨著晶片效能的極大提升，據計算，晶片每前進1nm，效能將提升30%-60%，尺寸越小意味著在相同的面積之內可以儲存更多的電晶體，從而達到快的執行速度，進而也可以降低能耗。