1.襯底是指藍寶石晶棒或者是矽經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。通俗講，就是物理切割加工後用來打底的矽原料(沒有任何物理或化學變化)。
2.外延片是指經過MOCVD加工的片子。晶體的結構不斷的放大，這就是所謂的生長的意思
外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。
工藝流程是襯底 - 結構設計 - 緩衝層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、X射線） - 外延片
晶片則是最後的工藝，在外延片上進一步加工的來的。
具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→視窗圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試。
1.襯底是指藍寶石晶棒或者是矽經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。通俗講，就是物理切割加工後用來打底的矽原料(沒有任何物理或化學變化)。
2.外延片是指經過MOCVD加工的片子。晶體的結構不斷的放大，這就是所謂的生長的意思
外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。
工藝流程是襯底 - 結構設計 - 緩衝層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、X射線） - 外延片
晶片則是最後的工藝，在外延片上進一步加工的來的。
具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→視窗圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試。