說起快閃記憶體，客戶最關注的一個問題就是快閃記憶體如何讀寫，儲存資料。快閃記憶體目前最流行的是NAND Flash，其類似外接儲存，透過專門的IO介面實現資料訪問，支援大容量，適合作為外接儲存介質。

Flash的基本儲存單元稱為Cell(場效應三極體晶，透過充電，放點儲存資料)，透過對Cell充放電實現資料程式設計和擦除(P/E)次數確定快閃記憶體壽命。不同Flash型別顆粒的P/E操作次數不同，程式設計和擦除操作次數越多，對應Flash顆粒的SSD壽命越長、可靠性越好、價格也越高。

根據每個Cell儲存資料Bit位的不同，Flash可分為SLC、 MLC和TLC，QLC等(如下圖)，在Cell中電子數量一致的情況下，表示的Bit位數越多(一個Cell中儲存的電子表示的資料位越多)，判斷其具體表示那個資料的難度就越大，所以SLC、MLC和TLC的壽命是依次降低的。隨著Cell寫入擦寫次數變多，快閃記憶體老化現象就越嚴重，以至於最後無法讀出Cell中的具體資料而失效，當整個磁碟Cell失效的數量超過磁碟Over Provisioning的數量，則整個磁碟失效。