人工合成鑽石的技術，主要就是模仿天然鑽石生長時的環境來培養鑽石。合成鑽石就晶體形成之生長方式而言，大致可分為三種方式：一就是高溫高壓法，二是震波法，三是化學氣相沉澱法。
一、高溫高壓法：這種方法用的材料有煤、焦炭、石墨、石蠟、糖等；有份報告曾列舉二十幾種合成成功的材料。應用的催化劑可用鐵、鈷、鎳、銠、釕、鈀、鋨、銥、鉻、鉭、鎂，或這些金屬元素的混合物。要求至少要達75,000atm(大氣壓)，最好在80,000atm至110,000atm的高壓狀態，形成溫度則要在1200℃??2000℃之間，最好是在1400℃??1800℃之間。反應艙的中部為高溫區，碳源置放在該區，晶种放在反應艙下部的低溫區。以石墨為碳源，晶種固定在氯化鈉（食鹽）晶床內，晶種某特殊晶面對著金屬催化劑，在晶種和碳源之間放置直徑６mm，厚３mm，金屬催化劑圓柱，此金屬催化劑是鐵鎳合金。組合後，置入單向加壓，四塊斜滑面式立體超高壓高溫裝置中，再放入１０００頓的油壓機內，反應腔溫度約１４５０℃，壓力控制在６GPa左右，生長時間２２~５２小時。
二、震波法：主要是利用爆炸時所產生的瞬間高溫高壓條件來合成鑽石，所合成的鑽石顆粒都很小(通稱鑽石粉)，只適合在工業上應用。
人工合成鑽石的技術，主要就是模仿天然鑽石生長時的環境來培養鑽石。合成鑽石就晶體形成之生長方式而言，大致可分為三種方式：一就是高溫高壓法，二是震波法，三是化學氣相沉澱法。
一、高溫高壓法：這種方法用的材料有煤、焦炭、石墨、石蠟、糖等；有份報告曾列舉二十幾種合成成功的材料。應用的催化劑可用鐵、鈷、鎳、銠、釕、鈀、鋨、銥、鉻、鉭、鎂，或這些金屬元素的混合物。要求至少要達75,000atm(大氣壓)，最好在80,000atm至110,000atm的高壓狀態，形成溫度則要在1200℃??2000℃之間，最好是在1400℃??1800℃之間。反應艙的中部為高溫區，碳源置放在該區，晶种放在反應艙下部的低溫區。以石墨為碳源，晶種固定在氯化鈉（食鹽）晶床內，晶種某特殊晶面對著金屬催化劑，在晶種和碳源之間放置直徑６mm，厚３mm，金屬催化劑圓柱，此金屬催化劑是鐵鎳合金。組合後，置入單向加壓，四塊斜滑面式立體超高壓高溫裝置中，再放入１０００頓的油壓機內，反應腔溫度約１４５０℃，壓力控制在６GPa左右，生長時間２２~５２小時。
二、震波法：主要是利用爆炸時所產生的瞬間高溫高壓條件來合成鑽石，所合成的鑽石顆粒都很小(通稱鑽石粉)，只適合在工業上應用。