首先，二者發光原理不同。

DUV光刻機光源為準分子鐳射，而EUV光刻機則是鐳射激發等離子來發射EUV光子。透過不同方式，二者發出的光源也不同。其中，DUV光刻機的波長能達到193奈米，而EUV光源的波長則為13.5奈米。

二者之間的差距十分明顯，波長越短，所能實現的解析度越高。這讓EUV光刻機能夠承擔高精度晶片的生產任務。

其次，二者的光路系統有著明顯的差異。

DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm；而幹法光刻機則不會如此，其介質為空氣。

而EUV光刻機則是利用的光的反射原理，內部必須為真空操作。這是因為，EUV光刻機的光源極易被介質吸收，只要真空才能最大程度保證光源能量不被損失。

最後，EUV光刻機鏡頭難度更大。

目前，ASML的EUV光刻機的光學模組，需要依賴於德國蔡司，其他供應商難以擔起此重任。為儘可能保證EUV光源能量不被損失，反射透鏡對光學精度的要求極高，並且反射透鏡表面還要鍍有采用Mo/Si的多層膜結構。