雷電防護區的劃分應根據需要保護和控制雷電電磁脈衝環境的建築物，從外部到內部劃分為不同的雷電防護區（LPZ）。

3.2.2 雷電防護區應劃分為：直擊雷非防護區、直擊雷防護區、第一防護區、第二防護區、後續防護區。（圖3.2.2)，應符合下列規定：

1 直擊雷非防護區（LPZA）：電磁場沒有衰減，各類物體都可能遭到直接雷擊，屬完全暴露的不設防區。

2 直擊雷防護區（LPZOB）：電磁場沒有衰減，各類物體很少遭受直接雷擊，屬充分暴露的直擊雷防護區。

3 第一防護區（LPZl)：由於建築物的遮蔽措施，流經各類導體的雷電流比直擊雷防護區（LPZOB）減小，電磁場得到了初步的衰減，各類物體不可能遭受直接雷擊。

4 第二防護區（LPZ2)：進一步減小所導引的雷電流或電磁場而引入的後續防護區。

5 後續防護區(LPZn)：需要進一步減小雷電電磁脈衝，以保護敏感度水平高的裝置的後續防護。

詳細可以檢視GB50343-2004