主要特性 ①雪崩增益係數M（也叫倍增因子），對突變結
式中V為反向偏壓，VB為體雪崩擊穿電壓；n與材料、
器件結構及入射波長等有關，為常數，其值為1～3。②增益頻寬積，增益較大且頻率很高時，
M(ω)·ω
式中ω為角頻率；N為常數，它隨離化係數比緩慢變化；W為耗盡區厚度；Vs為飽和速度；αn及αp分別為電子及空穴的離化係數，增益頻寬積是個常數。要想得到高乘積，應選擇大Vs，小W及小αn/αp（即電子、空穴離化係數差別要大，並使具有較高離化係數的載流子注入到雪崩區）。③過剩噪聲因子F，在倍增過程中，噪聲電流比訊號電流增長快，用F表示雪崩過程引起的噪聲附加F≈Mx。式中x稱過剩噪聲指數。要選擇合適的M值，才能獲得最佳信噪比，使系統達到最高靈敏度。④溫度特性，載流子離化係數隨溫度升高而下降，導致倍增因子減小、擊穿電壓升高。用擊穿電壓的溫度係數盧描述APD的溫度特性。
β=
式中VB及VB0分別是溫度為T及T0時的擊穿電壓。
使用時要對工作點進行溫控，要製造均勻的P-N結，以防區域性結面被擊穿。
主要特性 ①雪崩增益係數M（也叫倍增因子），對突變結
式中V為反向偏壓，VB為體雪崩擊穿電壓；n與材料、
器件結構及入射波長等有關，為常數，其值為1～3。②增益頻寬積，增益較大且頻率很高時，
M(ω)·ω
式中ω為角頻率；N為常數，它隨離化係數比緩慢變化；W為耗盡區厚度；Vs為飽和速度；αn及αp分別為電子及空穴的離化係數，增益頻寬積是個常數。要想得到高乘積，應選擇大Vs，小W及小αn/αp（即電子、空穴離化係數差別要大，並使具有較高離化係數的載流子注入到雪崩區）。③過剩噪聲因子F，在倍增過程中，噪聲電流比訊號電流增長快，用F表示雪崩過程引起的噪聲附加F≈Mx。式中x稱過剩噪聲指數。要選擇合適的M值，才能獲得最佳信噪比，使系統達到最高靈敏度。④溫度特性，載流子離化係數隨溫度升高而下降，導致倍增因子減小、擊穿電壓升高。用擊穿電壓的溫度係數盧描述APD的溫度特性。
β=
式中VB及VB0分別是溫度為T及T0時的擊穿電壓。
使用時要對工作點進行溫控，要製造均勻的P-N結，以防區域性結面被擊穿。