DUV(深紫外) 光源基本上基於excimer laser機制 （126-222nm都能產生），比如193nm用的是ArF excimer laser. 也可以用非線性光學的方法 比如從532nm倍頻到266 nm.波長再短到了EUV（極限紫外）。大家比較看好13nm 是因為將自然界的所有材料搜尋一下後發現在這個波長光學鏡片的反射率最高(75% 其實損耗還是挺高的). EUV光源比較成熟的技術是Cymer的laser produced plasma (LPP) 學術界也用High harmonic generation, 或者自由電子鐳射或者是EUV laser. 原則上126-13nm是能產生的，但是自然界不存在好的光學器件讓光的反射或透射率高於13nm. 所以大家用13 nm.當然波長越短，光刻解析度越高，如果光源＋成像系統的效率又高的話，那當然就不選別的波長啦！EUV光刻這個技術已經提出好久了，但是光源功率一直不達標，ASML收購了Cymer，希望他們儘快有突破吧！
DUV(深紫外) 光源基本上基於excimer laser機制 （126-222nm都能產生），比如193nm用的是ArF excimer laser. 也可以用非線性光學的方法 比如從532nm倍頻到266 nm.波長再短到了EUV（極限紫外）。大家比較看好13nm 是因為將自然界的所有材料搜尋一下後發現在這個波長光學鏡片的反射率最高(75% 其實損耗還是挺高的). EUV光源比較成熟的技術是Cymer的laser produced plasma (LPP) 學術界也用High harmonic generation, 或者自由電子鐳射或者是EUV laser. 原則上126-13nm是能產生的，但是自然界不存在好的光學器件讓光的反射或透射率高於13nm. 所以大家用13 nm.當然波長越短，光刻解析度越高，如果光源＋成像系統的效率又高的話，那當然就不選別的波長啦！EUV光刻這個技術已經提出好久了，但是光源功率一直不達標，ASML收購了Cymer，希望他們儘快有突破吧！