1.可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN接面，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發訊號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。
2.此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
雙向可控矽接線如圖：
觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上IGT的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
1.可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN接面，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發訊號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。
2.此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
雙向可控矽接線如圖：
觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上IGT的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。