美國佛羅里達大學研究人員宣佈，他們在新半導體的設計方面取得突破，從而率先為一種新型電子開關開發出重要的基礎材料，這種基礎材料很可能提供平穩的不間斷的電力供應。這項研究成果可能成為21世紀汽車工業和尖端軍事硬體使用的重要材料，行業雜誌《化合物半導體》對這項研究成果作了介紹。

佛羅里達大學四位材料學教授和兩位化學工程教授用氮化鎵材料設計了一種稱之為“金氧半導體場效應電晶體”的基本電子結構。

佛羅里達大學的科學家和聖巴巴拉加州大學的科學家們還最先設計並展示了一種與之相關的“雙極電晶體”。

參加研究的佛羅里達大學材料學教授斯蒂芬·皮爾頓說，這兩項研究成果是朝著製造氮化鎵半導體開關邁出的重要步驟。這種開關將確保供電系統今後能實現高質量的電力輸送。

他說，美國供電系統目前使用大型機械中繼開關和矽開關輸送電力，但是這兩種開關都存在嚴重的缺陷。用氮化鎵開關替代上述兩種開關輸送電力可以收到良好的效果。

皮爾頓說：“如果能用電子開關替換全部機械中繼開關和矽開關，輸送電力的速度更快，問題也大大減少。”