P型MOS管的導通條件：
靠在G極上加一個觸發電壓，使N極與D極導通。對N溝道G極電壓為+極性。對P溝道的G極電壓為-極性。 場效電晶體的導通與截止由柵源電壓來控制，對於增強型場效電晶體來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。
P溝道mos管作為開關，柵源的閥值為-0.4V，當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通，如果S為2.8V，G為1.8V，那麼GS=-1V，mos管導通，D為2.8V。
如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw，那麼mos管不導通，D為0V，所以，如果2.8V連線到S，要mos管導通為系統供電，系統連線到D，利用G控制。和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。
如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那麼GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。
GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那麼GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。
P型MOS管的導通條件：
靠在G極上加一個觸發電壓，使N極與D極導通。對N溝道G極電壓為+極性。對P溝道的G極電壓為-極性。 場效電晶體的導通與截止由柵源電壓來控制，對於增強型場效電晶體來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。
P溝道mos管作為開關，柵源的閥值為-0.4V，當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通，如果S為2.8V，G為1.8V，那麼GS=-1V，mos管導通，D為2.8V。
如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw，那麼mos管不導通，D為0V，所以，如果2.8V連線到S，要mos管導通為系統供電，系統連線到D，利用G控制。和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。
如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那麼GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。
GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那麼GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。