氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷材料,再在氮化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路,就是氮化鋁陶瓷基板了。
1、氮化鋁陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。
2、AIN晶體以(AIN4)四面體為結構單元共價鍵化合物,具有纖鋅礦型結構,屬六方晶系。
3、化學組成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓下的昇華分解溫度為2450℃。
4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料,熱膨脹係數(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN熱導率達260W/(m.k),比氧化鋁高5-8倍,所以耐熱衝擊好,能耐2200℃的高溫。
6、氮化鋁陶瓷具有極好的耐侵蝕性。陶瓷電路板具有良好的高頻效能和電學效能,且具有熱導率高、化學穩定性和熱穩定性優良等有機基板不具備的效能,是新一代大規模積體電路以及功率電子模組的理想封裝材料。近年來斯利通陶瓷電路板得到了廣泛的關注和迅速發展。
氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷材料,再在氮化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路,就是氮化鋁陶瓷基板了。
1、氮化鋁陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。
2、AIN晶體以(AIN4)四面體為結構單元共價鍵化合物,具有纖鋅礦型結構,屬六方晶系。
3、化學組成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓下的昇華分解溫度為2450℃。
4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料,熱膨脹係數(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN熱導率達260W/(m.k),比氧化鋁高5-8倍,所以耐熱衝擊好,能耐2200℃的高溫。
6、氮化鋁陶瓷具有極好的耐侵蝕性。陶瓷電路板具有良好的高頻效能和電學效能,且具有熱導率高、化學穩定性和熱穩定性優良等有機基板不具備的效能,是新一代大規模積體電路以及功率電子模組的理想封裝材料。近年來斯利通陶瓷電路板得到了廣泛的關注和迅速發展。