NMOS電晶體的工作原理： 在一塊摻雜濃度較低的P型矽襯底（提供大量可以動空穴）上，製作兩個高摻雜濃度的N+區(N+區域中有大量為電流流動提供自由電子的電子源)，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極D和源極S。然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化矽(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極（通常是多晶矽）,作為柵極G。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的。 NMOS電晶體簡介： NMOS英文全稱為：
N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的電晶體我們稱之為NMOS電晶體。 MOS電晶體有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路，由NMOS組成的電路就是NMOS積體電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS積體電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。
NMOS電晶體的工作原理： 在一塊摻雜濃度較低的P型矽襯底（提供大量可以動空穴）上，製作兩個高摻雜濃度的N+區(N+區域中有大量為電流流動提供自由電子的電子源)，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極D和源極S。然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化矽(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極（通常是多晶矽）,作為柵極G。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的。 NMOS電晶體簡介： NMOS英文全稱為：
N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的電晶體我們稱之為NMOS電晶體。 MOS電晶體有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路，由NMOS組成的電路就是NMOS積體電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS積體電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。