整流二極體是反接在電路中; 整流二極體(rectifier diode)一種用於將交流電轉變為直流電的半導體器件。二極體最重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極體的正極流入,負極流出。通常它包含一個PN接面,有正極和負極兩個端子。其結構如圖所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子,在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側附近產生儲存載流子,能透過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過很小的反向電流(稱反向漏電流),稱為反向阻斷狀態。整流二極體具有明顯的單向導電性。整流二極體可用半導體鍺或矽等材料製造。矽整流二極體的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫效能良好。通常高壓大功率整流二極體都用高純單晶矽製造(摻雜較多時容易反向擊穿)。這種器件的結面積較大,能透過較大電流(可達上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。整流二極體主要用於各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。
整流二極體是反接在電路中; 整流二極體(rectifier diode)一種用於將交流電轉變為直流電的半導體器件。二極體最重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極體的正極流入,負極流出。通常它包含一個PN接面,有正極和負極兩個端子。其結構如圖所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子,在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側附近產生儲存載流子,能透過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過很小的反向電流(稱反向漏電流),稱為反向阻斷狀態。整流二極體具有明顯的單向導電性。整流二極體可用半導體鍺或矽等材料製造。矽整流二極體的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫效能良好。通常高壓大功率整流二極體都用高純單晶矽製造(摻雜較多時容易反向擊穿)。這種器件的結面積較大,能透過較大電流(可達上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。整流二極體主要用於各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。