光刻技術的原理

積體電路製造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、鐳射等新技術；使用波長已從4000埃擴充套件到 0.1埃數量級範圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。

　　光刻技術是在一片平整的矽片上構建半導體MOS管和電路的基礎，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在矽片上塗上一層耐腐蝕的光刻膠，隨後讓強光透過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在矽片上。被照射到的部分(如源區和漏區)光刻膠會發生變質，而構築柵區的地方不會被照射到，所以光刻膠會仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗矽片，變質的光刻膠被除去，露出下面的矽片，而柵區在光刻膠的保護下不會受到影響。隨後就是粒子沉積、掩膜、刻線等操作，直到最後形成成品晶片（WAFER）。