中小型變頻器中普遍採用電力電子器件是：IGBT。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT的特點： GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT的應用： 作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用於家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智慧電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能裝置，以及用於自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用於家用電器、相機和手機。