當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表示式為U=Kk·I·B/d。其中K為霍爾係數，I為薄片中透過的電流，B為外加磁場（洛倫茲力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。
由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關係。霍爾開關就屬於這種有源磁電轉換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用整合封裝和組裝工藝製作而成，它可方便的把磁輸入訊號轉換成實際應用中的電訊號，同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。
霍爾開關的輸入端是以磁感應強度B 來表徵的，當B值達到一定的程度（如B1）時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般採用電晶體輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙訊號輸出之
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表示式為U=Kk·I·B/d。其中K為霍爾係數，I為薄片中透過的電流，B為外加磁場（洛倫茲力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。
由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關係。霍爾開關就屬於這種有源磁電轉換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用整合封裝和組裝工藝製作而成，它可方便的把磁輸入訊號轉換成實際應用中的電訊號，同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。
霍爾開關的輸入端是以磁感應強度B 來表徵的，當B值達到一定的程度（如B1）時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般採用電晶體輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙訊號輸出之