CBB81電容是薄膜電容的一種，是無極性高壓金屬聚丙烯薄膜介質高壓電容器CBB81電容又稱高壓電容、吸收電容、高頻電容以金屬化聚丙膜為介質，鋁箔為電極採用無感卷繞，環氧樹脂包封，鍍錫銅包鋼線（CP線）徑向引出CBB81電容具有內串式結構，高頻損耗小，過電流能力強，絕緣電阻高，壽命長，溫度特性穩定，損耗角正切隨工作頻率升高而減小等特點CBB81電容，CBB薄膜介質，無極性，81設計序號，表示不同的外形尺寸等CBB81電容技術指標：（GB/T10190(IEC60384-16)）：1、使用溫度：-40℃~105℃2、容量範圍：0.001uF~0.1uF3、允許偏差：±5%(J),±10%(K)4、額定電壓：800V、1000V、1250V、1600V、2000V5、耐電壓：1.6UR,5sec6、損耗角：0.1%Max,at1KHzand20℃7、絕緣電阻：IR≥50000MΩCBB81電容用途：CBB81電容適用於節能燈、鎮流器、彩電及電子整機、電子儀器高頻、直流、交流和大電流脈動電路，變頻器突波吸收，IGBT保護電路
CBB81電容是薄膜電容的一種，是無極性高壓金屬聚丙烯薄膜介質高壓電容器CBB81電容又稱高壓電容、吸收電容、高頻電容以金屬化聚丙膜為介質，鋁箔為電極採用無感卷繞，環氧樹脂包封，鍍錫銅包鋼線（CP線）徑向引出CBB81電容具有內串式結構，高頻損耗小，過電流能力強，絕緣電阻高，壽命長，溫度特性穩定，損耗角正切隨工作頻率升高而減小等特點CBB81電容，CBB薄膜介質，無極性，81設計序號，表示不同的外形尺寸等CBB81電容技術指標：（GB/T10190(IEC60384-16)）：1、使用溫度：-40℃~105℃2、容量範圍：0.001uF~0.1uF3、允許偏差：±5%(J),±10%(K)4、額定電壓：800V、1000V、1250V、1600V、2000V5、耐電壓：1.6UR,5sec6、損耗角：0.1%Max,at1KHzand20℃7、絕緣電阻：IR≥50000MΩCBB81電容用途：CBB81電容適用於節能燈、鎮流器、彩電及電子整機、電子儀器高頻、直流、交流和大電流脈動電路，變頻器突波吸收，IGBT保護電路