按照儲存資訊的不同，隨機儲存器分為靜態隨機儲存器（StaticRAM,SRAM)和動態隨機儲存器（DynamicRAM,DRAM)。 靜態儲存單元（SRAM） ●儲存原理：由觸發器儲存資料 ●單元結構：六管NMOS或OS構成 ●優點：速度快、使用簡單、不需重新整理、靜態功耗極低；常用作Cache ●缺點：元件數多、整合度低、執行功耗大 ●常用的SRAM整合晶片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 動態儲存單元（DRAM） ●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以儲存電荷的原理，需重新整理（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元） ●重新整理(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免儲存的資訊丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作 ●重新整理時間：定期進行重新整理操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持資訊的時間（小於2ms）。 ●優點：整合度遠高於SRAM、功耗低，價格也低 ●缺點：因需重新整理而使外圍電路複雜；重新整理也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用於作主儲存器。 儘管如此，由於DRAM[1]儲存單元的結構簡單，所用元件少，整合度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。
按照儲存資訊的不同，隨機儲存器分為靜態隨機儲存器（StaticRAM,SRAM)和動態隨機儲存器（DynamicRAM,DRAM)。 靜態儲存單元（SRAM） ●儲存原理：由觸發器儲存資料 ●單元結構：六管NMOS或OS構成 ●優點：速度快、使用簡單、不需重新整理、靜態功耗極低；常用作Cache ●缺點：元件數多、整合度低、執行功耗大 ●常用的SRAM整合晶片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 動態儲存單元（DRAM） ●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以儲存電荷的原理，需重新整理（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元） ●重新整理(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免儲存的資訊丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作 ●重新整理時間：定期進行重新整理操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持資訊的時間（小於2ms）。 ●優點：整合度遠高於SRAM、功耗低，價格也低 ●缺點：因需重新整理而使外圍電路複雜；重新整理也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用於作主儲存器。 儘管如此，由於DRAM[1]儲存單元的結構簡單，所用元件少，整合度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。