1、區熔法(FZ)【1】 為了防止由於熔體與坩堝間的化學反應造成的汙染而發展起來的無增堝晶體生長工藝，稱為區熔法。其基本構造如圖1-1所示。垂直安裝一根多晶體棒，用水冷射頻感，使應加熱使棒的一端熔化。依靠熔體的表面張力和電場產生的懸浮力，使熔體與晶棒粘附在一起。把一根經過定向處理的籽晶端部侵入熔體，利用加熱器與晶體熔體的相對運動使多晶棒不斷地熔化，而另一側逐漸生成晶體。這種方法雖然生長的晶體不會受坩堝的汙染，但是，該方法僅適用於熔體表面張力系數大的晶體生長。 2、直拉法(CZ) 直拉法又稱“恰克拉斯基法”（Czochralski）法，簡稱CZ法。是生長單晶矽的主要方法。該法是在直拉法(CZ)單晶爐內，將原料（多晶矽）裝在一個坩堝中使其加熱至熔融狀，向熔矽中引入籽晶，籽晶夾在提拉桿的下端，控制溫度合適。當籽晶和熔矽達到平衡時，熔液會靠著表面張力的支撐吸附在籽晶的下方。此時邊旋轉邊提拉籽晶，這些被吸附的熔體也會隨著籽晶往上運動。向上運動的過程中熔體溫度下降，將使得熔體凝結成晶且隨著籽晶方向生長成單晶棒。直拉法矽單晶生長裝置結構示意圖如圖1-2所示。