半導體:常溫下導電效能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。主要材料:元素半導體:鍺和矽是最常用的元素半導體;化合物半導體:包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。技術科研領域:(1)積體電路 它是半導體技術發展中最活躍的一個領域,已發展到大規模整合的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只電晶體,可在一片矽片上製成一臺微資訊處理器,或完成其它較複雜的電路功能。積體電路的發展方向是實現更高的整合度和微功耗,並使資訊處理速度達到微微秒級。(2)微波器件 半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在釐米波段,發射器件的功率已達到數瓦,人們正在透過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。(3)光電子器件 半導體發光、攝象器件和鐳射器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用範圍主要是:光通訊、數碼顯示、圖象接收、光整合等。
半導體:常溫下導電效能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。主要材料:元素半導體:鍺和矽是最常用的元素半導體;化合物半導體:包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。技術科研領域:(1)積體電路 它是半導體技術發展中最活躍的一個領域,已發展到大規模整合的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只電晶體,可在一片矽片上製成一臺微資訊處理器,或完成其它較複雜的電路功能。積體電路的發展方向是實現更高的整合度和微功耗,並使資訊處理速度達到微微秒級。(2)微波器件 半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在釐米波段,發射器件的功率已達到數瓦,人們正在透過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。(3)光電子器件 半導體發光、攝象器件和鐳射器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用範圍主要是:光通訊、數碼顯示、圖象接收、光整合等。