V2不是可控矽，普通NPN三極體而已。
這個電路過流保護原理是 負載電流增大，R5分壓增大，V2基極電壓增大，導致V2導通，拉低ADJ電壓，從而讓LM317T處於休眠或者關閉狀態。
元器件選取如下：
V2選取其實沒有特別需求，選低功率的NPN三極體即可，R1限制流過三極體的電流，要配合三極體C極和B級電流要求去計算,另外需要考慮ADJ輸入的電流（看DATASHHET）。
R5是取樣電阻，一般為功率較大的低阻值電阻（根據電壓要求選取，這個電阻需根據保護電流確定一個分壓 需在0.7）
R4 C4是RC濾波器，這2個引數需要互相調節，R4儘量選著大點，可選10K以上，但考慮基極電流不能太小，也不能太大。基極電阻可選K級別電阻，此2電阻的選擇決定著基極電流的大小，IB*HEF>VOUT/R1，三極體才能導通。
所以：V2選擇考慮成本 可選擇低溫漂的小功率NPN三極體，其他電阻必須確定三極體能在負載電流達到一定程度需要導通。
C級電阻取10K 設VOUT=12V ; HEF=100 ; IC=1.2MA IB最小值=1.2/HEF=12UA。
基極電阻根據R5分壓i要求去計算。
V2不是可控矽，普通NPN三極體而已。
這個電路過流保護原理是 負載電流增大，R5分壓增大，V2基極電壓增大，導致V2導通，拉低ADJ電壓，從而讓LM317T處於休眠或者關閉狀態。
元器件選取如下：
V2選取其實沒有特別需求，選低功率的NPN三極體即可，R1限制流過三極體的電流，要配合三極體C極和B級電流要求去計算,另外需要考慮ADJ輸入的電流（看DATASHHET）。
R5是取樣電阻，一般為功率較大的低阻值電阻（根據電壓要求選取，這個電阻需根據保護電流確定一個分壓 需在0.7）
R4 C4是RC濾波器，這2個引數需要互相調節，R4儘量選著大點，可選10K以上，但考慮基極電流不能太小，也不能太大。基極電阻可選K級別電阻，此2電阻的選擇決定著基極電流的大小，IB*HEF>VOUT/R1，三極體才能導通。
所以：V2選擇考慮成本 可選擇低溫漂的小功率NPN三極體，其他電阻必須確定三極體能在負載電流達到一定程度需要導通。
C級電阻取10K 設VOUT=12V ; HEF=100 ; IC=1.2MA IB最小值=1.2/HEF=12UA。
基極電阻根據R5分壓i要求去計算。