大尺寸晶體生長的製備，特別適用於高科技應用，如DRAMs、積體電路的半導體，單晶或多晶晶元的太陽能電池，LED照明的寶石基底等等。一般來說，直拉法（又稱Cz法，Czochralski法）生產用於IC和太陽能電池的單晶矽；懸浮區熔法（Fz法：Floating Zone）生產高純度的單晶矽；定向凝固法（DS法、VB法等）多用於生產用於太陽能電池上的多晶矽。以上幾種工藝透過建立數值模型，利用有效的模擬工具來完成拉晶過程中對單晶爐、晶體的熱場、力學效能、幾何結構的預測，最終實現對生成晶體質量的評估。
晶體生長領域學者比利時魯汶大學的Fran鏾is Dupret教授，90年代於《J. of Heat and Mass Transfer》上發表了一篇文章：Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces ，詳細闡述瞭如何建立一個晶體生長爐中全域性的熱傳控制模型，並驗證了這一全域性模型的準確性。
https://iknow-pic.cdn.bcebos.com/34fae6cd7b899e51a78c39c145a7d933c9950de0
大尺寸晶體生長的製備，特別適用於高科技應用，如DRAMs、積體電路的半導體，單晶或多晶晶元的太陽能電池，LED照明的寶石基底等等。一般來說，直拉法（又稱Cz法，Czochralski法）生產用於IC和太陽能電池的單晶矽；懸浮區熔法（Fz法：Floating Zone）生產高純度的單晶矽；定向凝固法（DS法、VB法等）多用於生產用於太陽能電池上的多晶矽。以上幾種工藝透過建立數值模型，利用有效的模擬工具來完成拉晶過程中對單晶爐、晶體的熱場、力學效能、幾何結構的預測，最終實現對生成晶體質量的評估。
晶體生長領域學者比利時魯汶大學的Fran鏾is Dupret教授，90年代於《J. of Heat and Mass Transfer》上發表了一篇文章：Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces ，詳細闡述瞭如何建立一個晶體生長爐中全域性的熱傳控制模型，並驗證了這一全域性模型的準確性。
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