STM32微控制器的GPIO口的內部結構是由PMOS和NMOS背靠背構成的，將兩個MOS管的漏極D引出，並和兩個上下拉電阻連線在一起，可配置。其內部結構如下圖所示。
和電晶體不同，MOS管在規格書中不會寫導通壓降這個引數，而是寫Rds(on)這個引數，即導通時DS之間的導通電阻，這個電阻非常小隻有幾個mΩ，以英飛凌的IRLR8726PbF為例，其導通內阻Rds(on)如下表所示。
表中表明，在25℃、ID電流為25A時，內阻典型值為4mΩ，由此可以推斷出其壓降大約為100mV；而在ID電流為20A時，內阻典型值為5.8mΩ，由此可以推斷出其壓降大約為116mV。
以AOS的AO4419作為例子，在ID電流為9.7A時，其典型內阻值為16.5mΩ，由此可以推斷出其壓降大約為160mV。
一般來說，PMOS的內阻會大於NMOS的內阻，工藝也比NMOS複雜，同參數價格也稍高，這也是NMOS用的比PMOS多的原因。
STM32微控制器的GPIO口的內部結構是由PMOS和NMOS背靠背構成的，將兩個MOS管的漏極D引出，並和兩個上下拉電阻連線在一起，可配置。其內部結構如下圖所示。
NMOS推算導通壓降和電晶體不同，MOS管在規格書中不會寫導通壓降這個引數，而是寫Rds(on)這個引數，即導通時DS之間的導通電阻，這個電阻非常小隻有幾個mΩ，以英飛凌的IRLR8726PbF為例，其導通內阻Rds(on)如下表所示。
表中表明，在25℃、ID電流為25A時，內阻典型值為4mΩ，由此可以推斷出其壓降大約為100mV；而在ID電流為20A時，內阻典型值為5.8mΩ，由此可以推斷出其壓降大約為116mV。
PMOS推斷導通壓降以AOS的AO4419作為例子，在ID電流為9.7A時，其典型內阻值為16.5mΩ，由此可以推斷出其壓降大約為160mV。
一般來說，PMOS的內阻會大於NMOS的內阻，工藝也比NMOS複雜，同參數價格也稍高，這也是NMOS用的比PMOS多的原因。