單就這個問題回答，是不行的，但有些地方是可以替換的。 這裡就要提到Flash與eeprom的區別了：

1、擦寫次數：eeprom比flash多很多，一般flash資料保證儲存10年擦寫的次數在幾千次（現在有些已經到了上萬次），eeprom的資料比這個大，但普通eeprom也是有限制的，若要“無限制”，可以選擇FRAM，它雖然讀一次和寫一次都算一次操作，但操作次數可以到10的12次方級別，基本可以認為是無限。

2、擦寫方式：flash是不能單位元組擦寫的，eeprom可以，flash的最小擦寫單位通常為一個sector，大小根據不同晶片不同。 如果產品滿足上述兩條flash的要求（產品週期內的擦寫次數較少、擦寫時有足夠的快取），在這樣的產品中完全可以用flash來替換eeprom，否則不行。 另外，前面提到的FRAM（鐵電），除了操作次數相當高外，操作時間也很短，基本上命令發完就完成了讀寫操作，不需要eeprom的寫等待查詢。具體型號如：FM24C04（IIC介面，4kbit）