需要訊號隔離肯定是不能用三極體了,
Mos管與三級管的區別也就是三極體是電流輸入控制而mos管是電壓輸入控制。
訊號隔離可以考慮光耦,但光耦主要是傳輸訊號的,壓降那麼小還是考慮光耦繼電器吧,
另外,有沒有想過使用SSR,SCR或者Traic,不過Traic什麼的都是控制馬達電路的了。
我說你還是試著換換電路設計吧,就實話跟你講吧,你的要求現在應該還沒誰能做的到,你所提供的積體電路需要無觸點都是基於半導體的,那我再普及一下大家都知道的常識,半導體之所有稱為半導體是因為它的單向導通與逆向截止,而它的單向導通是有個順向電壓的,正向電壓達到某一數值(這一數值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,矽管約為0.6V)以後,二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,矽管約為0.7V),稱為二極體的“正向壓降”。
試問沒壓降導通的能叫半導體嗎?那叫導體。半導體的門檻就0.2V了。要0.1V?大俠還是穿越好了。
需要訊號隔離肯定是不能用三極體了,
Mos管與三級管的區別也就是三極體是電流輸入控制而mos管是電壓輸入控制。
訊號隔離可以考慮光耦,但光耦主要是傳輸訊號的,壓降那麼小還是考慮光耦繼電器吧,
另外,有沒有想過使用SSR,SCR或者Traic,不過Traic什麼的都是控制馬達電路的了。
我說你還是試著換換電路設計吧,就實話跟你講吧,你的要求現在應該還沒誰能做的到,你所提供的積體電路需要無觸點都是基於半導體的,那我再普及一下大家都知道的常識,半導體之所有稱為半導體是因為它的單向導通與逆向截止,而它的單向導通是有個順向電壓的,正向電壓達到某一數值(這一數值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,矽管約為0.6V)以後,二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,矽管約為0.7V),稱為二極體的“正向壓降”。
試問沒壓降導通的能叫半導體嗎?那叫導體。半導體的門檻就0.2V了。要0.1V?大俠還是穿越好了。