場效應三極體的型號命名方法。與雙極型三極體相同，第三位字母J代表結型場效電晶體，O代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表材料，D是P型矽，反型層是N溝道；C是N型矽P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極體，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極體。

　　場效電晶體是透過改變外加電壓產生的電場強度來控制其導電能力的半導體器件。它不僅具有雙極型三極體的體積小,重量輕,耗電少,壽命長等優點,而且還具有輸入電阻高,熱穩定性好,抗輻射能力強,噪聲低,製造工藝簡單,便於整合等特點.因而,在大規模及超大規模積體電路中得到了廣泛的應用.根據結構和工作原理不同,場效電晶體可分為兩大類: 結型場效電晶體(JFET)和絕緣柵型場效電晶體(IGFET)。

　　在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個PN接面。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區上也做上歐姆電極，並把這兩個P區連起來，就構成了一個場效電晶體。從N型區引出的兩個電極分別為源極S和漏極D，從兩個P區引出的電極叫柵極G，很薄的N區稱為導電溝道。