下圖為雙異質結(DH)平面條形結構，這種結構由三層不同型別半導體材料構成，不同材料發射不同的光波長。
圖中標出所用材料和近似尺寸。結構中間有一層厚0.1~0.3 μm的窄帶隙P型半導體，稱為有源層；兩側分別為寬頻隙的P型和N型半導體，稱為限制層。三層半導體置於基片(襯底)上，前後兩個晶體解理面作為反射鏡構成法布里-珀羅(F-P)諧振腔
DH鐳射器工作原理：
由於限制層的帶隙比有源層寬，施加正向偏壓後， P層的空穴和N層的電子注入有源層。 P層帶隙寬，導帶的能態比有源層高，對注入電子形成了勢壘，注入到有源層的電子不可能擴散到P層。 同理， 注入到有源層的空穴也不可能擴散到N層。這樣，注入到有源層的電子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源層內形成粒子數反轉分佈，這時只要很小的外加電流，就可以使電子和空穴濃度增大而提高效益。
另一方面，有源層的折射率比限制層高，產生的鐳射被限制在有源區內，因而電/光轉換效率很高，輸出鐳射的閾值電流很低，很小的散熱體就可以在室溫連續工作。
圖 3.6 DH鐳射器工作原理(a) 雙異質結構； (b) 能帶； (c) 折射率分佈； (d) 光功率分佈
下圖為雙異質結(DH)平面條形結構，這種結構由三層不同型別半導體材料構成，不同材料發射不同的光波長。
圖中標出所用材料和近似尺寸。結構中間有一層厚0.1~0.3 μm的窄帶隙P型半導體，稱為有源層；兩側分別為寬頻隙的P型和N型半導體，稱為限制層。三層半導體置於基片(襯底)上，前後兩個晶體解理面作為反射鏡構成法布里-珀羅(F-P)諧振腔
DH鐳射器工作原理：
由於限制層的帶隙比有源層寬，施加正向偏壓後， P層的空穴和N層的電子注入有源層。 P層帶隙寬，導帶的能態比有源層高，對注入電子形成了勢壘，注入到有源層的電子不可能擴散到P層。 同理， 注入到有源層的空穴也不可能擴散到N層。這樣，注入到有源層的電子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源層內形成粒子數反轉分佈，這時只要很小的外加電流，就可以使電子和空穴濃度增大而提高效益。
另一方面，有源層的折射率比限制層高，產生的鐳射被限制在有源區內，因而電/光轉換效率很高，輸出鐳射的閾值電流很低，很小的散熱體就可以在室溫連續工作。
圖 3.6 DH鐳射器工作原理(a) 雙異質結構； (b) 能帶； (c) 折射率分佈； (d) 光功率分佈