半導體的光電導是指光照射半導體使電導增大的現象。本徵半導體的電導能力（電導率）很小，經光照射後半導體內部產生光生載流子（電子或空穴），使其導電能力加大。光照射前後半導體電導的改變與光的波長、強度以及半導體中雜質缺陷態的能級位置密切相關。光電導應用於研究半導體中的雜質缺陷態，如施主、受主、缺陷、深能級雜質等在禁帶中的能級位置（見半導體物理學），它的靈敏度比通常的光吸收實驗高許多，電導率正比於載流子濃度及其遷移率的乘積。因此凡是能激發出載流子的入射光都能產生光電導。入射光可以使電子從價帶激發到導帶，因而同時增加電子和空穴的濃度；也可以使電子躍遷發生在雜質能級與某一能帶之間，因而只增加電子濃度或只增加空穴濃度。前一過程引起的光電導稱為本徵光電導，後一過程引起的光電導稱為雜質光電導。不管哪一種光電導，入射光的光子能量都必須等於或大於與該激發過程相應的能隙 ΔE（禁頻寬度或雜質能級到某一能帶限的距離），也就是光電導有一個最大的響應波長，稱為光電導的長波限λ。http://ic.big-bit.com/