一般是利用I對V的偏導求。
注意,這時候需要先判斷MOS處於什麼工作區域。
case1:VdsMOS處於線形區,
Id=u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)*Vds-0.5(Vds^2)]
然後I對Vgs求偏導即可:g = partial (Id)/partial (Vgs)= u*Cox*Vds*(W/L)
以上partial為偏導算符,打不出來,只能這麼寫了,u是載流子遷移率,Cox是單位柵電容大小,W和L分別是MOS的寬和長。
case2:Vds>Vgs-Vt,MOS處於飽和區,
Id = 0.5*u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)^2]
同樣求偏導:g = partial (Id)/partial (Vgs) = u*Cox*(Vgs-Vt)*(W/L)
如果你知道Id,而不知道Vgs,就用Id的表示式把Vgs代換掉即可,以case2為例,g = [2u*Cox*(W/L)*Id]^0.5
[]^x代表[]的內容的x次方。
一般是利用I對V的偏導求。
注意,這時候需要先判斷MOS處於什麼工作區域。
case1:VdsMOS處於線形區,
Id=u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)*Vds-0.5(Vds^2)]
然後I對Vgs求偏導即可:g = partial (Id)/partial (Vgs)= u*Cox*Vds*(W/L)
以上partial為偏導算符,打不出來,只能這麼寫了,u是載流子遷移率,Cox是單位柵電容大小,W和L分別是MOS的寬和長。
case2:Vds>Vgs-Vt,MOS處於飽和區,
Id = 0.5*u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)^2]
同樣求偏導:g = partial (Id)/partial (Vgs) = u*Cox*(Vgs-Vt)*(W/L)
如果你知道Id,而不知道Vgs,就用Id的表示式把Vgs代換掉即可,以case2為例,g = [2u*Cox*(W/L)*Id]^0.5
[]^x代表[]的內容的x次方。