快閃記憶體（Flash）技術利用的場效電晶體就是浮柵場效電晶體

FLASH技術是採用特殊的浮柵場效電晶體作為儲存單元。這種場效電晶體的結構與普通場管有很大區別。它具有兩個柵極，一個如普通場管柵極一樣，用導線引出，稱為“選擇柵”；另一個則處於二氧化矽的包圍之中不與任何部分相連，這個不與任何部分相連的柵極稱為“浮柵”。通常情況下，浮柵不帶電荷，則場效電晶體處於不導通狀態，場效電晶體的漏極電平為高，則表示資料1。程式設計時，場效電晶體的漏極和選擇柵都加上較高的程式設計電壓，源極則接地。這樣大量電子從源極流向漏極，形成相當大的電流，產生大量熱電子，並從襯底的二氧化矽層俘獲電子，由於電子的密度大，有的電子就到達了襯底與浮柵之間的二氧化矽層，這時由於選擇柵加有高電壓，在電場作用下，這些電子又透過二氧化矽層到達浮柵，並在浮柵上形成電子團。浮柵上的電子團即使在掉電的情況下，仍然會存留在浮柵上，所以資訊能夠長期儲存（通常來說，這個時間可達10年）。由於浮柵為負，所以選擇柵為正，在儲存器電路中，源極接地，所以相當於場效電晶體導通，漏極電平為低，即資料0被寫入。擦除時，源極加上較高的程式設計電壓，選擇柵接地，漏極開路。根據隧道效應和量子力學的原理，浮柵上的電子將穿過勢壘到達源極，浮柵上沒有電子後，就意味著資訊被擦除了。

由於熱電子的速度快，所以程式設計時間短，並且資料儲存的效果好，但是耗電量比較大。