在金屬晶體中，金屬原子靠得很近，可以透過原子軌道組合成分子軌道，以使能量降低。一塊金屬包含數目極多的原子，這些原子的原子軌道可組成極多的分子軌道。例如，1g鈉中約有3×1022個原子，每個鈉子原子用3s軌道組合，可得到約3×1022個分子軌道（其中一半為成鍵軌道，一半為反鍵軌道）。這是一個巨大的數目。因此各相鄰分子軌道間的能級應非常接近。它們實際上連成一片，構成了一個具有一定能量界限（即一定寬度）的能帶。能帶的下半部充滿電子，上半部則空著。這就是金屬鈉結構的能帶模型。

金屬晶體可以有不同的能帶。已充滿電子的能帶，叫做滿帶，其中電子無法自由流動、躍遷。在此之上，能量較高的能帶，可以是部分充填電子或全空的能帶，叫做空帶，空帶獲得電子後可以參與導電過程故又稱為導帶。金屬中或由於其價電子能帶是半滿的（如金屬納），或價電子能帶雖滿，但與上面的一個空帶部分重疊，等於形成了一個半滿的導帶[如金屬鎂中3s能帶與3p能帶的部分重疊]。導帶中的電子在外電場作用下，可在整個晶體範圍內運動而形成電流。因此，金屬是電、熱的良導體。

在半導體和絕緣體中，滿帶與導帶之間還隔有一段空隙，被稱為禁帶或禁區。禁帶的寬度隨物質的不同而有區別。禁帶較窄時，電子容易獲得能量從滿帶越過禁帶而躍入導帶。如果禁帶較寬，這種躍遷就很困難。半導體的禁帶能量寬度小於4.8×10-19J(3eV)，而絕緣體的能頻寬度通常大於8.0×10-19J(5eV)

絕緣體不能導電。因為它們的電子都在滿帶中，而禁帶又太寬，使滿帶中電子即使獲得能量也無法躍進，進不了禁帶，又躍不過去，其結果是無電流透過。

可能由於Cr是半滿結構，電子躍遷相對較難吧