(1)摻雜溫度低。離子注入是在高真空中、在室溫或低溫下進行的，可以避見高溫擴散中所引進的熱缺陷或基片的熱變形。
(2)易於控制雜質的濃度分佈知。適當控制注入劑量和能量．可能得到理論設計中所要求的理想雜質分佈。
(3)可控性好。摻雜濃度、結深和雜質分佈都能技預定的要求透過調節注入離子的束流、能量和注入時間得到精確控制。
(4)側向擴散小。在熱擴散中，視窗邊緣處的橫向擴充套件範圍基本上等於縱向擴散深度。在離子注入時，道只有當離子質量較輕或入射能員較高時，才有比較明顯的側向擴散，一般悄況下。橫向擴充套件與縱向深度相比是很小的、常常可以忽略，這對提高IC整合密度十分重要。
(5)具有“直接寫入”功能，可以不回要掩模。低溫摻雜和“直接寫入”是離子注入技術與鐳射摻雜技術所共有的優勢。與鐳射摻雜技術相比，離子注入摻雜技術還存在一定的缺點。離子注入摻雜的最大缺點是離子注入時會在晶體內產生大量的晶格缺陷，雖然這些缺陷的大部分可以透過答退火來消除，但殘留的二次缺陷和晶格畸變往往會給器件的電特性帶來很壞的影響。此外，離子注入裝置龐大、複雜、價格高昂，這也在一定程度上紹其應用帶來限制或困難。
(1)摻雜溫度低。離子注入是在高真空中、在室溫或低溫下進行的，可以避見高溫擴散中所引進的熱缺陷或基片的熱變形。
(2)易於控制雜質的濃度分佈知。適當控制注入劑量和能量．可能得到理論設計中所要求的理想雜質分佈。
(3)可控性好。摻雜濃度、結深和雜質分佈都能技預定的要求透過調節注入離子的束流、能量和注入時間得到精確控制。
(4)側向擴散小。在熱擴散中，視窗邊緣處的橫向擴充套件範圍基本上等於縱向擴散深度。在離子注入時，道只有當離子質量較輕或入射能員較高時，才有比較明顯的側向擴散，一般悄況下。橫向擴充套件與縱向深度相比是很小的、常常可以忽略，這對提高IC整合密度十分重要。
(5)具有“直接寫入”功能，可以不回要掩模。低溫摻雜和“直接寫入”是離子注入技術與鐳射摻雜技術所共有的優勢。與鐳射摻雜技術相比，離子注入摻雜技術還存在一定的缺點。離子注入摻雜的最大缺點是離子注入時會在晶體內產生大量的晶格缺陷，雖然這些缺陷的大部分可以透過答退火來消除，但殘留的二次缺陷和晶格畸變往往會給器件的電特性帶來很壞的影響。此外，離子注入裝置龐大、複雜、價格高昂，這也在一定程度上紹其應用帶來限制或困難。