我覺得解決不了，只有改進散熱，看英特爾CPU的歷史 到後面效能是強了 可發熱也越來越大了，如果4nm 只把效能做到865，或許就不會發熱，但是可能這樣做嗎？

目前只知道高通的下一代旗艦處理器代號是SM8450，至於叫不叫驍龍895還不清楚，這款晶片採用將4nm工藝打造，目前比較新的說法是三星先代工，後面會有臺積電版本，規格上面，新產品基於最新的Arm v9指令集，支援4通道PoP LPDDR5記憶體，CPU為Kryo 780，GPU為Adreno 730，ISP是Spectra 680，FastConnect 6900移動連線系統。

基帶部分，集成了X65基帶晶片，這款基帶支援毫米波和Sub-6GHz，毫米波頻譜聚合做到了1GHz，Sub-6頻譜聚合做到了400MHz，成為全球首個支援10Gbps和首個符合3GPP Release 16規範的5G調變解調器到天線解決方案。

既然採用了最新的Arm V9指令集，那麼CPU部分不出意外應該還是1+3+4的設計，也就是1個Cortex-X2+3個Cortex-A710+4個Cortex-A510的組合。

根據ARM的PPT宣傳，新一代產品相比上一代的提升情況如下：

Cortex-X2相比Cortex-X1，IPC效能提升16%，峰值效能可提升30%，機器學習能力是前代的2倍Cortex-A710相比Cortex-A78，效能提升10%，能效比提升30%，機器學習能力是前代的2倍Cortex-A510相比Cortex-A55，效能提升35%，能效比提升20%，機器學習能力是前代的3倍

新的設計還是延續驍龍888的設計思路，Cortex-X2偏效能表現，主要是拉昇單核效能，Cortex-A710偏重能效，用於平衡PPA。本次升級中萬年的A55小核心終於換了，新的Cortex-A510看上去挺不錯，但看其能效曲線，相比A55其實沒有實質性的提升，關鍵是35%的提升真的不算什麼，依舊被蘋果吊打。

頻率部分還不清楚，不過如果還是今年的2.84GHz最高頻率的話，下一代產品的CPU提升估計就不會很大了，下一代產品可能會更加註重能效，而且華為麒麟的退出讓高通沒有了什麼壓力，可以更安心地擠牙膏了，估計到時候CPU提升15%，GPU提升20%的套路。

至於三星4nm工藝能不能解決發熱，對於這個問題還是謹慎一點的好，今年的5nm其實不僅僅三星的表現不及預期，其實臺積電的5nm也是不及預期的，大家覺得臺積電好，那是三星的襯托而已，而且從目前的情況來看，三星的工藝水平的確是不如臺積電，高通採用三星4nm主要原因還是便宜，而且以三星的命名，誰知道這個4nm有多少水分？如果是5nm打磨改良的反而會讓能耗好一些，就怕到時候真的搞個不那麼成熟4nm，再來一次能耗翻車就苦了消費者了，沒有了麒麟芯，高通再翻一次翻的起。

不太看好，雖然工藝上的差距還可以改進，但是888這種佔用很多面積和資源的超大核的設計思路同樣是一種負擔，如果不進一步提升頻率還好說。要進一步超頻來提高跑分的話，再好的工藝也會面臨無法支撐的窘境。a14一樣有這種問題，但人家的ipc現在吊打公版水平。

一般來說加工工藝越精密，功耗是會降低的。近日，三星在於加州聖克拉拉舉行的三星鑄造論壇(Samsung Foundry Forum)上宣佈， 將於2021年向市場推出一項突破性的處理器技術，對最基本的電子元件進行根本性改造，即將晶片製程提升到3nm，並用GAA（Gate-all-around 環繞柵極）工藝取代FinFET工藝，以增強電晶體效能，這樣芯片面積減少45％，效能將提高35%，同時使能耗降低50%。

所謂GAA，亦稱作橫向奈米線場效電晶體，是一個周邊環繞著gate的FinFET，GAA 電晶體能夠提供比 FinFet 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求，這主要體現在同等尺寸結構下，GAA溝道控制能力增強，因此給尺寸進一步微縮提供了可能。傳統FinFET的溝道僅三面被柵極包圍，而GAA以奈米線溝道設計，溝道的整個外輪廓都被柵極完全包裹住，這就意味著柵極對溝道的控制性能就更好。