其實不懂電腦的人也會知道45nm比65nm更先進 但是要具體說明 恐怕一時半會也很難說清 所以在此也只是簡單介紹一下 希望對你能有所幫助 要先從大規模積體電路中最基本的金氧半導體(MOS)電晶體說起 在實際應用中 我們利用MOS進行0、1的訊號傳輸 在柵極不通電的時候 源區的訊號是不能透過襯底到達漏區的 這時即表示訊號0 但如果我們在柵極和襯底間加電的話 襯底中的電荷就會在絕緣氧化層下大量聚集 使得電流可以透過 形成訊號1 這就是MOS的工作原理 在後來的應用中科學家發現不斷透過的電流使MOS的公耗過高 於是又開發了CMOS並有了之後的各種改進 在生產中一般採用的生產方式是光刻 光刻是在掩模板上進行的 宏觀上理講 只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了 但在微觀中就不是這樣了 光刻時要先在矽片上塗一層光刻膠 而所謂的45nm技術就是在最初柵極上留下45nm寬度的光刻膠 所以每次工藝的升級都伴隨著光刻裝置的升級 MOS越多其熱量的產生也會越多 所以在進入45nm後 英特爾宣佈引入High-K技術以降低功耗 所以相對於65nm工藝來說45nm在底漏電律的情況下功耗更底 另外45nm的發展導致了業界的洗牌 這也是65nm沒做到的