基本原理為:將一個控制裝置連線到光伏二極體陣列與輸出金屬氧化物場效電晶體的柵極之間,從而使控制裝置在光伏輸出時處於高阻狀態,在光伏輸出消失時處於低阻狀態,以便光伏二極體陣列產生的充電電流流向輸出端,金屬氧化物場效電晶體的柵極。專利中提到的所有元器件均採用V型槽隔離的方法,實現了單片整合,很好的實現了固體繼電器的控制功能,類似的專利還包括:美國專利號5151602、美國專利號5278422和公開號CN1728553A等等,上述專利還有一個共同點是都是採用V型槽隔離方式將光伏二極體陣列與控制電路單片整合,控制電路的輸出埠再外接單片功率MOS元件的柵源端,最終將繼電器的各個部分進行共同封裝,這種封裝方式不僅會增加封裝的難度,同時由於多片封裝寄生效應比較大,降低了整個繼電器的可靠性,而且某些固體繼電器的輸出端採用了橫向功率器件,由於橫向功率器件的漂移區長度較大,且作用只是用來承受耐壓,增加了整個晶片的面積,影響了整個晶片的整合度。此外,在這些專利中所述的光伏二電池大都採用單晶矽光伏電池製作,其製作難度和成本較高
基本原理為:將一個控制裝置連線到光伏二極體陣列與輸出金屬氧化物場效電晶體的柵極之間,從而使控制裝置在光伏輸出時處於高阻狀態,在光伏輸出消失時處於低阻狀態,以便光伏二極體陣列產生的充電電流流向輸出端,金屬氧化物場效電晶體的柵極。專利中提到的所有元器件均採用V型槽隔離的方法,實現了單片整合,很好的實現了固體繼電器的控制功能,類似的專利還包括:美國專利號5151602、美國專利號5278422和公開號CN1728553A等等,上述專利還有一個共同點是都是採用V型槽隔離方式將光伏二極體陣列與控制電路單片整合,控制電路的輸出埠再外接單片功率MOS元件的柵源端,最終將繼電器的各個部分進行共同封裝,這種封裝方式不僅會增加封裝的難度,同時由於多片封裝寄生效應比較大,降低了整個繼電器的可靠性,而且某些固體繼電器的輸出端採用了橫向功率器件,由於橫向功率器件的漂移區長度較大,且作用只是用來承受耐壓,增加了整個晶片的面積,影響了整個晶片的整合度。此外,在這些專利中所述的光伏二電池大都採用單晶矽光伏電池製作,其製作難度和成本較高