晶格能也可以說是破壞1mol晶體，使它變成完全分離的自由離子所需要消耗的能量。晶格能越大，表示離子鍵越強，晶體越穩定。晶格能的數值有兩個來源。第一是理論計算值。它是根據離子晶體模型，考慮其中任一離子跟周圍異號離子間的吸引作用，以及跟其他同號離子間的排斥作用推匯出下列近似公式計算得到的。 式中Z是離子價數，R0是一對離子間的平均距離，A是跟一定的晶格型別有關的常數，NA是阿伏加德羅常數，m是跟離子的電子層構型有關的常數，它的值可取5～12，ε0是真空電容率（8.85419×10-12庫-2·牛-1·米-2）。例如，氯化鈉晶體的Z+=Z-=1，R0=2.814×10-10m，m=8，A=1.7476，代入上述公式可得U=755kJ/mol。第二是熱化學實驗值。設計一個熱化學迴圈，然後根據實驗測得的熱化學量（如生成熱、昇華熱、離解熱、電離能、電子親合勢）進行計算。影響晶格能大小的因素主要是離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型等。例如，隨著滷離子半徑增大，鹵化物的晶格能降低；高價化合物的晶格能遠大於低價離子化合物的晶格能，如UTiN＞UMgO＞UNaCl。此外，Cu+和Na+半徑相近、離子電荷相同，但Cu+是18電子構型，對陰離子會產生極化作用，因此UCu2S
晶格能也可以說是破壞1mol晶體，使它變成完全分離的自由離子所需要消耗的能量。晶格能越大，表示離子鍵越強，晶體越穩定。晶格能的數值有兩個來源。第一是理論計算值。它是根據離子晶體模型，考慮其中任一離子跟周圍異號離子間的吸引作用，以及跟其他同號離子間的排斥作用推匯出下列近似公式計算得到的。 式中Z是離子價數，R0是一對離子間的平均距離，A是跟一定的晶格型別有關的常數，NA是阿伏加德羅常數，m是跟離子的電子層構型有關的常數，它的值可取5～12，ε0是真空電容率（8.85419×10-12庫-2·牛-1·米-2）。例如，氯化鈉晶體的Z+=Z-=1，R0=2.814×10-10m，m=8，A=1.7476，代入上述公式可得U=755kJ/mol。第二是熱化學實驗值。設計一個熱化學迴圈，然後根據實驗測得的熱化學量（如生成熱、昇華熱、離解熱、電離能、電子親合勢）進行計算。影響晶格能大小的因素主要是離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型等。例如，隨著滷離子半徑增大，鹵化物的晶格能降低；高價化合物的晶格能遠大於低價離子化合物的晶格能，如UTiN＞UMgO＞UNaCl。此外，Cu+和Na+半徑相近、離子電荷相同，但Cu+是18電子構型，對陰離子會產生極化作用，因此UCu2S