作為SSD主要元件的NAND快閃記憶體，我們經常見到的有SLC和MLC兩種，甚至還細分出eSLC和eMLC等等，現在我們談一下他們之間的區別。
SLC全稱single-level cell，即單階儲存單元;MLC全稱Multi-level cell，即多階儲存單元。因NAND快閃記憶體是一種電壓元件，因此它以不同的電壓範圍來代表不同的資料。
SLC就是在NAND快閃記憶體的每個儲存單元裡儲存1bit的資料，儲存的資料代表”0”還是”1”是由基於Vth電壓閾值來判定，對於 NAND快閃記憶體的寫入（程式設計），就是對其充電，使得它的電壓超過上圖的電壓判定點A，儲存單元就表示0-已程式設計，如果沒有充電或者電壓閾值低於那個A點，就表示1-已擦除。
MLC則是每個儲存單元裡儲存2bit的資料，儲存的資料是”00”，”01”，”10”，”11”也是基於電壓閾值的判定，當電壓沒到判定點B時，就代表”11”，當電壓在B和C之間，則代表“10”，電壓在C和D之間，則表示”01”，而電壓達到D以上，則表示”00”。由上面的圖片可以看到，MLC相比SLC電壓之間的閾值被分成了4份，這樣肯定會直接影響效能和穩定性，相對來說，主要受影響的有以下四點：
SLC、eSLC、MLC、eMLC存在什麼差異
1.相鄰的儲存單元間會互相干擾，造成電壓不穩定而出現bit錯誤，MLC由於閾值相比SLC更接近，所以出錯機率會更大。
2.MLC讀寫效能降低，寫入更達到50%的差距以上，因為需要更精確的充電處理。SLC只有”0”和”1”，，而MLC會有“00”，“01“，”10”，”11” 4個狀態，在充電後還要去判斷處於哪個狀態，速度自然就慢了。
3.如上所說，因為有額外的讀寫壓力，所以功耗明顯增大。
4.同樣因為有額外的讀寫壓力，造成快閃記憶體的寫入耐久度和資料儲存期都受到影響。
前面說過SLC和MLC的區別，那eSLC和eMLC又是怎麼一回事呢？
在NAND Flash工廠製造處理過程中，廠商把晶元上最好的那部分Flash晶片挑選出來並用企業級的標準來檢測晶片的資料完整性和耐久度。檢測完成後，這些晶片被取下來改變內部引數並進行之後的比標準MLC更苛刻的測試。當這些晶片透過測試後，就被定義為eMLC級別組，餘下的就成為MLC級別組了。同理eSLC就是從SLC晶元上挑出來的優質晶片經過內參調整和企業級標準篩選的產物。
作為SSD主要元件的NAND快閃記憶體，我們經常見到的有SLC和MLC兩種，甚至還細分出eSLC和eMLC等等，現在我們談一下他們之間的區別。
SLC全稱single-level cell，即單階儲存單元;MLC全稱Multi-level cell，即多階儲存單元。因NAND快閃記憶體是一種電壓元件，因此它以不同的電壓範圍來代表不同的資料。
SLC就是在NAND快閃記憶體的每個儲存單元裡儲存1bit的資料，儲存的資料代表”0”還是”1”是由基於Vth電壓閾值來判定，對於 NAND快閃記憶體的寫入（程式設計），就是對其充電，使得它的電壓超過上圖的電壓判定點A，儲存單元就表示0-已程式設計，如果沒有充電或者電壓閾值低於那個A點，就表示1-已擦除。
MLC則是每個儲存單元裡儲存2bit的資料，儲存的資料是”00”，”01”，”10”，”11”也是基於電壓閾值的判定，當電壓沒到判定點B時，就代表”11”，當電壓在B和C之間，則代表“10”，電壓在C和D之間，則表示”01”，而電壓達到D以上，則表示”00”。由上面的圖片可以看到，MLC相比SLC電壓之間的閾值被分成了4份，這樣肯定會直接影響效能和穩定性，相對來說，主要受影響的有以下四點：
SLC、eSLC、MLC、eMLC存在什麼差異
1.相鄰的儲存單元間會互相干擾，造成電壓不穩定而出現bit錯誤，MLC由於閾值相比SLC更接近，所以出錯機率會更大。
2.MLC讀寫效能降低，寫入更達到50%的差距以上，因為需要更精確的充電處理。SLC只有”0”和”1”，，而MLC會有“00”，“01“，”10”，”11” 4個狀態，在充電後還要去判斷處於哪個狀態，速度自然就慢了。
3.如上所說，因為有額外的讀寫壓力，所以功耗明顯增大。
4.同樣因為有額外的讀寫壓力，造成快閃記憶體的寫入耐久度和資料儲存期都受到影響。
前面說過SLC和MLC的區別，那eSLC和eMLC又是怎麼一回事呢？
在NAND Flash工廠製造處理過程中，廠商把晶元上最好的那部分Flash晶片挑選出來並用企業級的標準來檢測晶片的資料完整性和耐久度。檢測完成後，這些晶片被取下來改變內部引數並進行之後的比標準MLC更苛刻的測試。當這些晶片透過測試後，就被定義為eMLC級別組，餘下的就成為MLC級別組了。同理eSLC就是從SLC晶元上挑出來的優質晶片經過內參調整和企業級標準篩選的產物。