從上面的問題出發我想先說點鋪墊。提問者用二極體和Mos管對比跨度有點大，建議先看二極體和雙極性三極體的區別和原理，mosfet是場效電晶體，屬於壓控器件和雙極型三極體(電流控制)還是有所區別。其結構和工作原理也不同。涉及東西太多，不是簡單幾句可以說清楚的。
不過可以get到提問者的本意，提問者只是想問微觀領域下電子如何從少到多的轉換的，二極體和三極體mos管什麼的，都是PN接面，為什麼二極體不可以實現電流放大(順便說一下這裡放大的訊號本質主要是電流的變大)，而兩個PN結合在一起就可以了呢？當然，合在一起的結構上面說的兩種是不一樣的哦。
下面正式回答問題。
背景知識：PN接面是兩種極性(P型，空穴多。N型，電子多)的半導體靠在一起的結果，當然它們不是真的把分開的兩個物體靠在一起。而是在一種極性的材料上，擋住一半，把另一半改變極性，這樣擋住的界限就是pn結了，如何改變極性就不多說了，其實就是摻雜，所謂的雜就是雜質，相對於本徵半導體來說，換一種最外層電子和原材料不同的材料就是雜質，哎呀，好糾結，不知道要不要說專業名詞。說多了也不容易看懂，不說又不知道怎麼解釋的更準確。背景就不說了。
回到正題，二極體只有一個pn結，電子被結電場限制，當正偏時，電子順利透過，否則結電場會更強阻止電子流過，完全是過於不過的區別，沒有放大之說。
三極體由於有2個pn結，一般PN兩個極性依次排布比如pnp或npn，mos管也是，但結構有所不同而已。不管是什麼型別的三極體或mos管，都是中間一個材料，比如NPN中間那個P型材料中的電流小，而其他位置的電流大，圍觀上就是電子多少而已。為什麼會存在中間小，兩端大呢？
請從電場角度理解，一邊是p一邊是n，電子自然大多數像p運動(漂移和擴散暫不多解釋，就知道是一個方向的運動即可)，為什麼說是大多數，因為電子也存在另一個方向的運動，這個方向的隨機的很少的，逆著電場跑就更少了，這部分很少的電子透過中間的那個P流出器件，既然只有很少的電子從中間流出，那麼剩下的被電場吸引過來的那麼多電子跑哪裡去了？因為另一個pn結在另一邊等著呢，這個pn結是反偏的，也就是說這個pn結的n是外加了電場正，把結內電場壓沒了而且還反了，電子到這以後根本停不下來，直接又被吸走了，到了這一邊的n，也就到了另一端，然後從這一端流走，這樣外在表現的現象就是，中間p電流小，兩端n電流大。
利用好這個規律就可以實現電流放大。
以上主要還是以雙極型三極體來解釋的，mos管微觀放大原理本質上大同小異，只不過電子路徑遊走的原因重新解釋一下即可。
好了，總結一下，一個pn結只能阻擋電子，而pnp或npn結可以分流電子實現大小關係。
打字好累。東西太多，解釋了一部分。應該可以讓人有所領悟。望採納，
從上面的問題出發我想先說點鋪墊。提問者用二極體和Mos管對比跨度有點大，建議先看二極體和雙極性三極體的區別和原理，mosfet是場效電晶體，屬於壓控器件和雙極型三極體(電流控制)還是有所區別。其結構和工作原理也不同。涉及東西太多，不是簡單幾句可以說清楚的。
不過可以get到提問者的本意，提問者只是想問微觀領域下電子如何從少到多的轉換的，二極體和三極體mos管什麼的，都是PN接面，為什麼二極體不可以實現電流放大(順便說一下這裡放大的訊號本質主要是電流的變大)，而兩個PN結合在一起就可以了呢？當然，合在一起的結構上面說的兩種是不一樣的哦。
下面正式回答問題。
背景知識：PN接面是兩種極性(P型，空穴多。N型，電子多)的半導體靠在一起的結果，當然它們不是真的把分開的兩個物體靠在一起。而是在一種極性的材料上，擋住一半，把另一半改變極性，這樣擋住的界限就是pn結了，如何改變極性就不多說了，其實就是摻雜，所謂的雜就是雜質，相對於本徵半導體來說，換一種最外層電子和原材料不同的材料就是雜質，哎呀，好糾結，不知道要不要說專業名詞。說多了也不容易看懂，不說又不知道怎麼解釋的更準確。背景就不說了。
回到正題，二極體只有一個pn結，電子被結電場限制，當正偏時，電子順利透過，否則結電場會更強阻止電子流過，完全是過於不過的區別，沒有放大之說。
三極體由於有2個pn結，一般PN兩個極性依次排布比如pnp或npn，mos管也是，但結構有所不同而已。不管是什麼型別的三極體或mos管，都是中間一個材料，比如NPN中間那個P型材料中的電流小，而其他位置的電流大，圍觀上就是電子多少而已。為什麼會存在中間小，兩端大呢？
請從電場角度理解，一邊是p一邊是n，電子自然大多數像p運動(漂移和擴散暫不多解釋，就知道是一個方向的運動即可)，為什麼說是大多數，因為電子也存在另一個方向的運動，這個方向的隨機的很少的，逆著電場跑就更少了，這部分很少的電子透過中間的那個P流出器件，既然只有很少的電子從中間流出，那麼剩下的被電場吸引過來的那麼多電子跑哪裡去了？因為另一個pn結在另一邊等著呢，這個pn結是反偏的，也就是說這個pn結的n是外加了電場正，把結內電場壓沒了而且還反了，電子到這以後根本停不下來，直接又被吸走了，到了這一邊的n，也就到了另一端，然後從這一端流走，這樣外在表現的現象就是，中間p電流小，兩端n電流大。
利用好這個規律就可以實現電流放大。
以上主要還是以雙極型三極體來解釋的，mos管微觀放大原理本質上大同小異，只不過電子路徑遊走的原因重新解釋一下即可。
好了，總結一下，一個pn結只能阻擋電子，而pnp或npn結可以分流電子實現大小關係。
打字好累。東西太多，解釋了一部分。應該可以讓人有所領悟。望採納，