xnm3n50n什麼器件，重要的半導體材料，化學元素符號Si，電子工業上使用的矽應具有高純度和優良的電學和機械等效能。矽是產量最大、應用最廣的半導體材料，它的產量和用量標誌著一個國家的電子工業水平。 在研究和生產中，矽材料與矽器件相互促進。在第二次世界大戰中，開始用矽製作雷達的高頻晶體檢波器。所用的矽純度很低又非單晶體。1950年製出第一隻矽電晶體，提高了人們製備優質矽單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育矽單晶成功。1953年又研究出無坩堝區域熔化法(FZ)，既可進行物理提純又能拉制單晶。1955年開始採用鋅還原四氯化矽法生產純矽，但不能滿足製造電晶體的要求。1956年研究成功氫還原三氯氫矽法。對矽中微量雜質又經過一段時間的探索後，氫還原三氯氫矽法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進行工業生產已具規模。矽整流器與矽閘流管的問世促使矽材料的生產一躍而居半導體材料的首位。60年代矽外延生長單晶技術和矽平面工藝的出現，不但使矽晶體管制造技術趨於成熟，而且促使積體電路迅速發展。80年代初全世界多晶矽產量已達2500噸。矽還是有前途的太陽電池材料之一。用多晶矽製造太陽電池的技術已經成熟；無定形非晶矽膜的研究進展迅速；非晶矽太陽電池開始進入市場。 化學成分 矽是元素半導體。電活性雜質磷和硼在合格半導體和多晶矽中應分別低於0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質，以獲得所要求的導電型別和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質，它們的存在會使PN接面效能變壞。矽中碳含量較高，低於1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。矽中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉矽單晶氧含量在5～40ppm範圍內；區熔矽單晶氧含量可低於1ppm。 矽的性質 矽具有優良的半導體電學性質。禁頻寬度適中，為1.21電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350釐米2/伏·秒，空穴遷移率為480釐米2/伏·秒。本徵電阻率在室溫(300K)下高達2.3×105歐·釐米,摻雜後電阻率可控制在104～10-4 歐·釐米的寬廣範圍內，能滿足製造各種器件的需要。矽單晶的非平衡少數載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。熱導率較大。化學性質穩定，又易於形成穩定的熱氧化膜。在平面型矽器件製造中可以用氧化膜實現PN接面表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,製造MOS場效應電晶體和積體電路。上述性質使PN接面具有良好特性，使矽器件具有耐高壓、反向漏電流小、效率高、使用壽命長、可靠性好、熱傳導好，並能在200高溫下執行等優點。 矽單晶的主要技術引數 矽單晶主要技術引數有導電型別、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。 導電型別 導電型別由摻入的施主或受主雜質決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷。 電阻率與均勻度 拉制單晶時摻入一定雜質以控制單晶的電阻率。由於雜質分佈不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區電阻率均勻度。它直接影響器件引數的一致性和成品率。 非平衡載流子壽命 光照或電注入產生的附加電子和空穴瞬即複合而消失，它們平均存在的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數、反向電流和開關特性等均有關係。壽命值又間接地反映矽單晶的純度，存在重金屬雜質會使壽命值大大降低。 晶向與晶向偏離度 常用的單晶晶向多為 (111)和(100)（見圖）。晶體的軸與晶體方向不吻合時，其偏離的角度稱為晶向偏離度。 晶體缺陷 生產電子器件用的矽單晶除對位錯密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯排、星形結構等缺陷存在。位錯密度低於 200/釐米2者稱為無位錯單晶，無位錯矽單晶佔產量的大多數。在無位錯矽單晶中還存在雜質原子、空位團、自間隙原子團、氧碳或其他雜質的沉澱物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，矽單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響積體電路的成敗。 型別和應用 矽單晶按拉制方法不同分為無坩堝區熔(FZ)單晶與有坩堝直拉(CZ)單晶。區熔單晶不受坩堝汙染，純度較高，適於生產電阻率高於20歐·釐米的N型矽單晶（包括中子嬗變摻雜單晶）和高阻 P型矽單晶。由於含氧量低，區熔單晶機械強度較差。大量區熔單晶用於製造高壓整流器、晶體閘流管、高壓電晶體等器件。直接法易於獲得大直徑單晶，但純度低於區熔單晶，適於生產20歐·釐米以下的矽單晶。由於含氧量高,直拉單晶機械強度較好。大量直拉單晶用於製造MOS積體電路、大功率電晶體等器件。外延片襯底單晶也用直拉法生產。矽單晶商品多製成拋光片，但對FZ單晶片與CZ單晶片須加以區別。外延片是在矽單晶片襯底（或尖晶石、藍寶石等絕緣襯底）上外延生長矽單晶薄層而製成，大量用於製造雙極型積體電路、高頻電晶體、小功率電晶體等器件。 單晶矽在太陽能電池中的應用，高純的單晶矽是重要的半導體材料。在光伏技術和微小型半導體逆變器技術飛速發展的今天，利用矽單晶所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。 展望 矽是地殼上最豐富的元素半導體, 性質優越而工藝技術比較成熟,已成為固態電子器件的主要原料。為適應超大規模積體電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分佈) 的矽單晶製備技術正在發展。雖然在超速積體電路方面砷化鎵材料表現出巨大的優越性，但尚不可能全面取代矽的地位。矽材料在各種晶體三極體、尤其是功率器件製造方面仍是最主要的材料。無定形矽可能成為同單晶矽並列的重要矽材料。無定形矽和多晶矽太陽電池的成功將使矽材料的消耗量急劇增加。
xnm3n50n什麼器件，重要的半導體材料，化學元素符號Si，電子工業上使用的矽應具有高純度和優良的電學和機械等效能。矽是產量最大、應用最廣的半導體材料，它的產量和用量標誌著一個國家的電子工業水平。 在研究和生產中，矽材料與矽器件相互促進。在第二次世界大戰中，開始用矽製作雷達的高頻晶體檢波器。所用的矽純度很低又非單晶體。1950年製出第一隻矽電晶體，提高了人們製備優質矽單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育矽單晶成功。1953年又研究出無坩堝區域熔化法(FZ)，既可進行物理提純又能拉制單晶。1955年開始採用鋅還原四氯化矽法生產純矽，但不能滿足製造電晶體的要求。1956年研究成功氫還原三氯氫矽法。對矽中微量雜質又經過一段時間的探索後，氫還原三氯氫矽法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進行工業生產已具規模。矽整流器與矽閘流管的問世促使矽材料的生產一躍而居半導體材料的首位。60年代矽外延生長單晶技術和矽平面工藝的出現，不但使矽晶體管制造技術趨於成熟，而且促使積體電路迅速發展。80年代初全世界多晶矽產量已達2500噸。矽還是有前途的太陽電池材料之一。用多晶矽製造太陽電池的技術已經成熟；無定形非晶矽膜的研究進展迅速；非晶矽太陽電池開始進入市場。 化學成分 矽是元素半導體。電活性雜質磷和硼在合格半導體和多晶矽中應分別低於0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質，以獲得所要求的導電型別和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質，它們的存在會使PN接面效能變壞。矽中碳含量較高，低於1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。矽中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉矽單晶氧含量在5～40ppm範圍內；區熔矽單晶氧含量可低於1ppm。 矽的性質 矽具有優良的半導體電學性質。禁頻寬度適中，為1.21電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350釐米2/伏·秒，空穴遷移率為480釐米2/伏·秒。本徵電阻率在室溫(300K)下高達2.3×105歐·釐米,摻雜後電阻率可控制在104～10-4 歐·釐米的寬廣範圍內，能滿足製造各種器件的需要。矽單晶的非平衡少數載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。熱導率較大。化學性質穩定，又易於形成穩定的熱氧化膜。在平面型矽器件製造中可以用氧化膜實現PN接面表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,製造MOS場效應電晶體和積體電路。上述性質使PN接面具有良好特性，使矽器件具有耐高壓、反向漏電流小、效率高、使用壽命長、可靠性好、熱傳導好，並能在200高溫下執行等優點。 矽單晶的主要技術引數 矽單晶主要技術引數有導電型別、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。 導電型別 導電型別由摻入的施主或受主雜質決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷。 電阻率與均勻度 拉制單晶時摻入一定雜質以控制單晶的電阻率。由於雜質分佈不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區電阻率均勻度。它直接影響器件引數的一致性和成品率。 非平衡載流子壽命 光照或電注入產生的附加電子和空穴瞬即複合而消失，它們平均存在的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數、反向電流和開關特性等均有關係。壽命值又間接地反映矽單晶的純度，存在重金屬雜質會使壽命值大大降低。 晶向與晶向偏離度 常用的單晶晶向多為 (111)和(100)（見圖）。晶體的軸與晶體方向不吻合時，其偏離的角度稱為晶向偏離度。 晶體缺陷 生產電子器件用的矽單晶除對位錯密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯排、星形結構等缺陷存在。位錯密度低於 200/釐米2者稱為無位錯單晶，無位錯矽單晶佔產量的大多數。在無位錯矽單晶中還存在雜質原子、空位團、自間隙原子團、氧碳或其他雜質的沉澱物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，矽單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響積體電路的成敗。 型別和應用 矽單晶按拉制方法不同分為無坩堝區熔(FZ)單晶與有坩堝直拉(CZ)單晶。區熔單晶不受坩堝汙染，純度較高，適於生產電阻率高於20歐·釐米的N型矽單晶（包括中子嬗變摻雜單晶）和高阻 P型矽單晶。由於含氧量低，區熔單晶機械強度較差。大量區熔單晶用於製造高壓整流器、晶體閘流管、高壓電晶體等器件。直接法易於獲得大直徑單晶，但純度低於區熔單晶，適於生產20歐·釐米以下的矽單晶。由於含氧量高,直拉單晶機械強度較好。大量直拉單晶用於製造MOS積體電路、大功率電晶體等器件。外延片襯底單晶也用直拉法生產。矽單晶商品多製成拋光片，但對FZ單晶片與CZ單晶片須加以區別。外延片是在矽單晶片襯底（或尖晶石、藍寶石等絕緣襯底）上外延生長矽單晶薄層而製成，大量用於製造雙極型積體電路、高頻電晶體、小功率電晶體等器件。 單晶矽在太陽能電池中的應用，高純的單晶矽是重要的半導體材料。在光伏技術和微小型半導體逆變器技術飛速發展的今天，利用矽單晶所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。 展望 矽是地殼上最豐富的元素半導體, 性質優越而工藝技術比較成熟,已成為固態電子器件的主要原料。為適應超大規模積體電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分佈) 的矽單晶製備技術正在發展。雖然在超速積體電路方面砷化鎵材料表現出巨大的優越性，但尚不可能全面取代矽的地位。矽材料在各種晶體三極體、尤其是功率器件製造方面仍是最主要的材料。無定形矽可能成為同單晶矽並列的重要矽材料。無定形矽和多晶矽太陽電池的成功將使矽材料的消耗量急劇增加。