PN接面在未加外加電壓時，擴散運動與漂移運動處於動態平衡，透過PN接面的電流為零。當電源正極接P區，負極接N區時，稱為給PN接面加正向電壓或正向偏置，由於PN接面是高阻區，而P區和N區的電阻很小，所以正向電壓幾乎全部加在PN接面兩端。在PN接面上產生一個外電場，其方向與內電場相反，在它的推動下，N區的電子要向左邊擴散，並與原來空間電荷區的正離子中和，使空間電荷區變窄。同樣，P區的空穴也要向右邊擴散，並與原來空間電荷區的負離子中和，使空間電荷區變窄。結果使內電場減弱，破壞了PN接面原有的動態平衡。於是擴散運動超過了漂移運動，擴散又繼續進行。與此同時，電源不斷向P區補充正電荷，向N區補充負電荷，結果在電路中形成了較大的正向電流IF。而且IF隨著正向電壓的增大而增大。當電源正極接N區、負極接P區時，稱為給PN接面加反向電壓或反向偏置。反向電壓產生的外加電場的方向與內電場的方向相同，使PN接面內電場加強，它把P區的多子（空穴）和N區的多子（自由電子）從PN接面附近拉走，使PN接面進一步加寬， PN接面的電阻增大，打破了PN接面原來的平衡，在電場作用下的漂移運動大於擴散運動。這時透過PN接面的電流，主要是少子形成的漂移電流，稱為反向電流 IR。由於在常溫下，少數載流子的數量不多，故反向電流很小，而且當外加電壓在一定範圍內變化時，它幾乎不隨外加電壓的變化而變化，因此反向電流又稱為反向飽和電流。當反向電流可以忽略時，就可認為PN接面處於截止狀態。值得注意的是，由於本徵激發隨溫度的升高而加劇，導致電子-空穴對增多，因而反向電流將隨溫度的升高而成倍增長。反向電流是造成電路噪聲的主要原因之一，因此，在設計電路時，必須考慮溫度補償問題。綜上所述，PN接面正偏時，正向電流較大，相當於PN接面導通，反偏時，反向電流很小，相當於PN接面截止。這就是PN接面的單向導電性。
② 二極體單向導通應用
和機油感測器配合使用，當缺機油時時給導通器一個控制訊號使接點火器的那根線對地短路（並延遲10秒左右）---點火器不點火----機器停。延時是為了保證一接受到控制訊號機器就熄火。
④ 線圈兩端加一個單向導通二極體什麼作用
直流的線圈兩端反向並聯一個二極體作用是：線上圈斷電時為感生電動勢提供一個版釋放權迴路，起續流作用，叫續流二極體。用以消除電弧（電火花)。 對於交流線圈，不能並聯二極體。只能並聯一個由電阻和電容串聯的阻容吸收器（阻容滅弧器)。作用也是：用以消除電弧（電火花)。
⑤ 二極體的單向導通原理是什麼
二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。在其介面的兩側形成空間回電答荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。 外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN接面內電場得阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN接面內電場被克服，二極體導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內，導通時二極體的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極體的正向電壓。外加反向電壓不超過一定範圍時，透過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流，由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。
⑥ 大地鷹王單向導電器起什麼作用
二極體的單向導電性具體指：只允許電流由單一方向透過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。二極體單向導電性失敗的場合及原因1、正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）2、正向電流太大。（會使PN接面溫度過高燒燬）3、反向偏壓太高。（造成反向擊穿）4、工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）
⑦ 除了二極體還有什麼可以實現單向導通
單向可控矽
採用不同的摻雜工藝,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱PN接面。PN接面具有單向導電性。 PN接面：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交介面附近的過渡區稱。PN接面有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 PN 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的PN接面叫異質結。製造PN接面的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。 在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在介面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。 在PN接面上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利透過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN接面的單向導性。 PN接面加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN接面燒燬。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。 PN接面加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。 根據PN接面的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN接面單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN接面隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與PN接面相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN接面反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個PN接面之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。PN接面是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
⑨ 二極體的單向導電特性有什麼好處
單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。二極體單向導電性失敗的場合及原因1、正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）2、正向電流太大。（會使PN接面溫度過高燒燬）3、反向偏壓太高。（造成反向擊穿）4、工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）
PN接面在未加外加電壓時，擴散運動與漂移運動處於動態平衡，透過PN接面的電流為零。當電源正極接P區，負極接N區時，稱為給PN接面加正向電壓或正向偏置，由於PN接面是高阻區，而P區和N區的電阻很小，所以正向電壓幾乎全部加在PN接面兩端。在PN接面上產生一個外電場，其方向與內電場相反，在它的推動下，N區的電子要向左邊擴散，並與原來空間電荷區的正離子中和，使空間電荷區變窄。同樣，P區的空穴也要向右邊擴散，並與原來空間電荷區的負離子中和，使空間電荷區變窄。結果使內電場減弱，破壞了PN接面原有的動態平衡。於是擴散運動超過了漂移運動，擴散又繼續進行。與此同時，電源不斷向P區補充正電荷，向N區補充負電荷，結果在電路中形成了較大的正向電流IF。而且IF隨著正向電壓的增大而增大。當電源正極接N區、負極接P區時，稱為給PN接面加反向電壓或反向偏置。反向電壓產生的外加電場的方向與內電場的方向相同，使PN接面內電場加強，它把P區的多子（空穴）和N區的多子（自由電子）從PN接面附近拉走，使PN接面進一步加寬， PN接面的電阻增大，打破了PN接面原來的平衡，在電場作用下的漂移運動大於擴散運動。這時透過PN接面的電流，主要是少子形成的漂移電流，稱為反向電流 IR。由於在常溫下，少數載流子的數量不多，故反向電流很小，而且當外加電壓在一定範圍內變化時，它幾乎不隨外加電壓的變化而變化，因此反向電流又稱為反向飽和電流。當反向電流可以忽略時，就可認為PN接面處於截止狀態。值得注意的是，由於本徵激發隨溫度的升高而加劇，導致電子-空穴對增多，因而反向電流將隨溫度的升高而成倍增長。反向電流是造成電路噪聲的主要原因之一，因此，在設計電路時，必須考慮溫度補償問題。綜上所述，PN接面正偏時，正向電流較大，相當於PN接面導通，反偏時，反向電流很小，相當於PN接面截止。這就是PN接面的單向導電性。
② 二極體單向導通應用
和機油感測器配合使用，當缺機油時時給導通器一個控制訊號使接點火器的那根線對地短路（並延遲10秒左右）---點火器不點火----機器停。延時是為了保證一接受到控制訊號機器就熄火。
④ 線圈兩端加一個單向導通二極體什麼作用
直流的線圈兩端反向並聯一個二極體作用是：線上圈斷電時為感生電動勢提供一個版釋放權迴路，起續流作用，叫續流二極體。用以消除電弧（電火花)。 對於交流線圈，不能並聯二極體。只能並聯一個由電阻和電容串聯的阻容吸收器（阻容滅弧器)。作用也是：用以消除電弧（電火花)。
⑤ 二極體的單向導通原理是什麼
二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。在其介面的兩側形成空間回電答荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。 外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN接面內電場得阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN接面內電場被克服，二極體導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內，導通時二極體的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極體的正向電壓。外加反向電壓不超過一定範圍時，透過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流，由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。
⑥ 大地鷹王單向導電器起什麼作用
二極體的單向導電性具體指：只允許電流由單一方向透過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。二極體單向導電性失敗的場合及原因1、正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）2、正向電流太大。（會使PN接面溫度過高燒燬）3、反向偏壓太高。（造成反向擊穿）4、工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）
⑦ 除了二極體還有什麼可以實現單向導通
單向可控矽
採用不同的摻雜工藝,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱PN接面。PN接面具有單向導電性。 PN接面：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交介面附近的過渡區稱。PN接面有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 PN 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的PN接面叫異質結。製造PN接面的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。 在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在介面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。 在PN接面上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利透過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN接面的單向導性。 PN接面加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN接面燒燬。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。 PN接面加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。 根據PN接面的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN接面單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN接面隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與PN接面相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN接面反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個PN接面之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。PN接面是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
⑨ 二極體的單向導電特性有什麼好處
單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。二極體單向導電性失敗的場合及原因1、正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）2、正向電流太大。（會使PN接面溫度過高燒燬）3、反向偏壓太高。（造成反向擊穿）4、工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）